VEECO

Veeco Pioneer P125 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Для НИОКР широкого спектра полупроводниковых материалов, металлов, оксидов; идеально для роста III-V/N материалов
  • Поддерживает рост как As/P, так и GaN
  • Для академических и коммерческих исследований
далее

Veeco Discovery 180 (D180) MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Осаждение слоев для производства голубых, зеленых и УФ светодиодов, лазеров голубого спектра, GaN электронных приборов и полевых транзисторов
  • Идеально подходит для решения задач, связанных с Al-содержащими сложными соединениями
  • Высококачественное осаждение AlGaN со стабильной скоростью выращивания
далее

Veeco Discovery 180 (D180) LDM MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев InGaAsP, InGaAlP и AlGaAs
  • Осаждение слоев для производства полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSELs), лазерных диодов, AlGaAs и InGaAs детекторов
  • Применяется технология TurboDisc® MOCVD – технология вертикального реактора с вращающимся диском
далее

Veeco E300 GaNzilla II MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN для серийного производства голубых, зеленых и УФ светодиодов, лазеров голубого спектра и полевых транзисторов
  • Устойчивый, повторимый процесс роста приводит к превосходной однородности материала и минимальному обслуживанию установки
  • Возможности высокоскоростного газового переключения и быстрого вывода на температурный режим позволяют получить наилучшую поверхность активного слоя для самых ярких светодиодов
далее

Veeco E300 LDM MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев сложных соединений InGaAsP, InGaAlP, AlGaAs
  • МО ХОГФ установка для крупносерийного производства длинноволновых, ИК- и видимого света лазеров, полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением и электронных материалов, основанных на фосфиде индия (InP).
  • Новое поколение ростового реактора и устройство Flow Flange
далее

Veeco E450 GaNzilla MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Установка для крупносерийного производства
  • Осаждение слоев GaN для производства голубых, зеленых и УФ светодиодов, лазеров голубого спектра и полевых транзисторов
  • Устойчивый, повторимый процесс роста приводит к превосходной однородности материала и минимальному обслуживанию установки
далее

Veeco TurboDisc E450 LDM MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев сложных соединений InGaAsP, InGaAlP, AlGaAs
  • МО ХОГФ установка для производства эпитаксиальных материалов, таких как мышьяк/фосфор (As/P).
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 13×4″ или 5×6″
  • Новое поколение ростового реактора и устройство Flow Flange.
далее

Veeco TurboDisc E450 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев As/P
  • МО ХОГФ установка для массового производства HB-светодиодов и А3В5 концентрирующих солнечных элементов, испускающих повышенное на 15% излучение.
  • Установка дает возможность массового производства многопереходных А3В5 концентрирующих солнечных элементов, красных, оранжевых и желтых HB-светодиодов, лазерных диодов, псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMTs) и биполярных транзисторов с гетероперходом (HBTs).
далее

Veeco TurboDisc E475 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев As/P
  • МО ХОГФ установка для массового производства HB-светодиодов и А3В5 концентрирующих солнечных элементов, испускающих повышенное на 15% излучение.
  • Установка дает возможность массового производства многопереходных А3В5 концентрирующих солнечных элементов, красных, оранжевых и желтых HB-светодиодов, лазерных диодов, псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMTs) и биполярных транзисторов с гетероперходом (HBTs).
далее

Veeco TurboDisc K300 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Полностью автоматизированная установка для производства основанных на нитриде галлия (GaN) материалов для голубых и зеленых светодиодов и голубых лазеров
  • Уникальная технология TurboDisc® гарантирует превосходный выход продукции
далее

Veeco TurboDisc K465 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Промышленная высокопроизводительная МО ХОГФ установка для массового производства основанных на нитриде галлия (GaN) голубых и зеленых светодиодов и голубых лазеров.
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 45 x 2”
далее

Veeco TurboDisc K465i MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Установка высокой производительности для серийного производства светодиодов и лазеров
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 12×4”, 3х8”
  • Наивысшая производительность в отрасли благодаря полной автоматизации и сокращению периода восстановления после технического обслуживания.
далее

Veeco TurboDisc K465i HP MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Установка высокой производительности для серийного производства светодиодов и лазеров
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 12×4”, 6х6”
  • До 20% лучше однородность в пределах пластины по сравнению с системой K465i
далее

Veeco TurboDisc MaxBright M MOCVD

  • Многореакторные установки мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Промышленная МО ХОГФ установка для крупносерийного производства светодиодов
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 14×4”, 6х6”
  • Новое поколение ростового реактора с устройством Flow Flange
далее

Veeco TurboDisc MaxBright MHP MOCVD

  • Многореакторные установки мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Промышленная МО ХОГФ установка для крупносерийного производства светодиодов
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 14×4”, 6х6”
  • Новое поколение ростового реактора с устройством Flow Flange
далее

Veeco TurboDisc K475 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев As/P
  • МО ХОГФ установка для производства многослойных фотоэлектрических преобразователей
  • Установка обеспечивает прямое управление температурой пластины, малоинерционные газовые переключения для точного управления крутизной границы раздела, и автоматизацию вакуумного загрузочного шлюза для наивысшей производительности.
  • Система К475 улучшает качество продукции, производительность и доходность.
далее

Veeco TurboDisc K475i MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев As/P
  • МО ХОГФ установка для производства красных, оранжевых и желтых светодиодов, многопереходных солнечных элементов, лазерных диодов и транзисторов.
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 15×4”, 7×6”
  • Система К475i улучшает качество продукции, производительность и доходность.
далее

Veeco TurboDisc EPIK 700 MOCVD

  • Многореакторная установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Предназначена для массового производства
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 31×4”, 12х6” и 6х8”
  • Мос-гидридная эпитаксиальная установка, являющаяся высшей системой светодиодной индустрии по производительности, что снижает стоимость одной пластины до 20 процентов по сравнению с предыдущими поколениями.
далее

Veeco Propel Power MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
  • Установка разработана специально для силовой электроники.
  • Различные варианты кассет, включая пластины 6” и 8”
  • Технологии TurboDisc®, IsoFlange™, SymmHeat™, которые обеспечивают однородный ламинарный поток и равномерное распределение температуры по всей пластине.
далее

Veeco GEN II MBE

  • Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР
  • Однопластинная, экономичная и эффективная установка МЛЭ для научного и производственного применения
  • Объем загрузки пластин: до 1×3″
  • Тип загрузки образцов: ручной
далее

Veeco GEN III MBE

  • Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР, позволяющая производить синтез любых полупроводниковых соединений на пластинах средней площади в системе материалов InGaAlAsPN
  • Установка МЛЭ с 12 окнами эффузионных ячеек для НИОКР и мелкосерийного производства перспективных оптоэлектронных приборов, таких как лазеры торцевого излучения и полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSELs)
далее

Veeco GENxplor MBE

  • Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР в области смешанных полупроводников и других перспективных материалов
  • Объем загрузки пластин: до 1×3″
  • Тип загрузки образцов: ручной
  • Оптимальная цена, малые габариты, легкость в использовании и обслуживании.
далее

Veeco GEN930 MBE

  • Идеальная система молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР при создании материалов А3Вили А2В6
  • Установка включает в себя встроенную технологию установки GEN II МЛЭ, которая поддерживает многочисленные GaAs и AlGaAs режимы работ
  • Рентабельная модульная конструкция удовлетворяет современным НИОКР возможностям, обеспечивает быструю перестраиваемость установки
  • Объем загрузки пластин: до 1×3″
далее

Veeco GEN10 MBE

  • Универсальная система молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР
  • Кластерный комплекс, включающий до 3-х модулей МЛЭ
  • Наличие специализированных ростовых модулей обеспечивает рост несовместимых материалов в одной вакуумной системе
  • Тип реактора: вертикальный
далее

Veeco GEN20 MBE

  • Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР и опытного производства
  • Совместная компановка ростового модуля установки GEN10 и производственной системы GEN200 в системе GEN20 позволяет легко перейти от НИОКР к выпуску опытных партий
  • Многоцелевая установка для соединений А3В5 и новых материалов с вертикальным расположением источника-подложки
  • 12 камер с источниками, опционно добавляется устройство с электронным лучом
далее

Veeco GEN200 Edge MBE

  • Кластерный промышленный комплекс молекулярно-лучевой эпитаксии с загрузкой 4×4″ пластины для эпитаксиального наращивания на GaAs- или InP- подложках для лазеров с накачкой, полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSELs) и биполярных транзисторов с гетероперходом (HBTs)
  • Объем загрузки пластин: 14×2″, 7×3″, 4×4″, 1×6″, 1×8″
  • Тип загрузки образцов: автоматический
далее

Veeco GEN2000 Edge MBE

  • Кластерный промышленный комплекс молекулярно-лучевой эпитаксии, созданный на базе системы GEN200
  • Объем загрузки пластин: 23×3″, 14×4″, 7×6″, 3×8″
  • Тип загрузки образцов: автоматический
  • Автоматизированная транспортировка пластин позволяет использовать установку с большей эффективностью
далее
Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.