ЭМ-5026Б

  • Установка двухстороннего совмещения и экспонирования
  • Предназначена для контактного (в зазоре) способа экспонирования верхней стороны полупроводниковой пластины или подложки, совмещая изображение на фотошаблоне с изображением на нижней (обратной) стороне пластины или подложки.
  • Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
  • Фотолитографическое разрешение 0.4 … 1.0мкм
  • Неравномерность освещенности рабочего поля диаметром 110 мм         ±2.5%
  • Случайная составляющая погрешности совмещения:   

— при совмещении по лицевой стороне ±0.2 мкм

— при совмещении по знакам на обратной стороне пластины ±1.0мкм

  • Диаметр обрабатываемых пластин 40; 50; 60; 76; 100мм
  • Размер фотошаблонов 76х76мм; 102х102мм; 127х127мм
  • Чувствительность привода манипулятора совмещения: по X, Y 0.01мкм; по углу 0.1секунд
  • Потребляемая мощность 900 Вт             

к списку