ООО «СтратНаноТек Инвест»

SNT VegaH (СНТ Вега горизонтальная)

  • Установка вакуумного магнетронного распыления периодического действия для мелкосерийного производства
  • Назначение: для группового напыления высококачественных слоев токопроводящих материалов (магнетроны DC) и диэлектриков (ВЧ магнетроны), до 3-х материалов одновременно или последовательно за один цикл напыления
  • Подложки: 60×48 мм
  • Загрузка: (18÷56) шт.
  • Рабочая камера: ø800 мм
  • Нагрев пластин: ИК
  • Ионный источник очистки подложек для обеспечения хорошей адгезии напыляемых пленок
  • Подложкодержатель: планарного типа
  • Магнетроны DC
  • Контроль покрытий: система резистивного контроля по сопротивлению на свидетеле или контроля по времени
  • Контроль температуры на подложках обеспечивает узел свидетеля
  • Неравномерность покрытий: ±(2÷5)%
  • Высоковакуумная безмасляная система откачки
  • Предельное остаточное давление в рабочей камере: 5×10-4Па
  • Автоматизированный процесс напыления по заранее составленному рецепту; программирование и сохранение технологических рецептов 
  • Опционно: ВЧ магнетроны, система двухстороннего напыления

SNT VegaV (СНТ Вега вертикальная)

  • Высокопроизводительная установка вакуумного магнетронного распыления для мелкосерийного производства
  • Назначение: для группового одностороннего напыления высококачественных слоев токопроводящих материалов (магнетроны DC) и диэлектриков (ВЧ магнетроны), до 4-х материалов за один цикл напыления
  • Подложки: 60×48 мм
  • Загрузка: до 65 шт.
  • Рабочая камера: ø600 мм
  • Нагрев пластин: ИК
  • Ионный источник очистки подложек для обеспечения хорошей адгезии напыляемых пленок
  • Подложкодержатель: карусельного типа
  • Магнетроны DC
  • Контроль покрытий: система резистивного контроля по сопротивлению на свидетеле или контроля по времени
  • Контроль температуры на подложках
  • Неравномерность покрытий: ±2%
  • Высоковакуумная безмасляная система откачки
  • Предельное остаточное давление в рабочей камере: 5×10-4Па
  • Автоматизированный процесс напыления
  • Опционно: ВЧ магнетроны, система ионного распыления

SNT Taurus 74 (современный аналог установки УВН-74)

  • Установка вакуумного напыления для мелкосерийного производства
  • Подложки: 60×48 мм; 30×24 мм
  • Нагрев пластин: до 350 °С
  • Ионно-лучевой источник очистки подложек
  • Технологии напыления: магнетронное распыление, электронное испарение (с кольцевым катодом), резистивное испарение
  • Контроль покрытий: система резистивного контроля по сопротивлению на свидетеле
  • Неравномерность покрытий: ±5%
  • Вакуумная система: криогенный / турбомолекулярный и безмасляный форвакуумный насосы
  • Предельное остаточное давление в рабочей камере: 8×10-5Па
  • Режимы работы: автоматический, полуавтоматический и ручной
  • Опционно: ионное ассистирование, система кварцевого контроля

SNT OmegaA

  • Установка вакуумного магнетронного распыления линейного однопроходного типа для встраивания в чистую комнату
  • токопроводящих материалов (магнетроны DC) и диэлектриков (ВЧ магнетроны), до 3-х материалов за один цикл напыления
  • Подложки: до 300×300 мм
  • Загрузка: через шлюзовую камеру
  • Рабочая камера
  • Нагрев пластин: ИК+ТЭН
  • Ионный источник предварительной очистки подложек для обеспечения хорошей адгезии напыляемых пленок
  • Варианты расположения подложкодержателя: вертикальный или горизонтальный
  • Магнетроны DC
  • Контроль покрытий: система резистивного контроля, кварцевого контроля или контроля по времени
  • Производительность: до 12 м2/смену
  • Неравномерность покрытий: по подложке – ±0,5%; по партии – ±1,0%     
  • Высоковакуумная безмасляная система откачки
  • Предельное остаточное давление в рабочей камере: 1×10-6Па
  • Автоматизированный процесс напыления
  • Опционно: ВЧ магнетроны, нанесение до 5-ти материалов за один цикл напыления, автоматический загрузчик (SCARA)