ASMPulsar​​​ XP ALD

• Технологический модуль атомно-слоевого осаждения для получения high-k диэлектрических материалов для затворов КМОП-транзисторов и других применений в серийном производстве. Может функционировать в составе кластерных установок Eagle XP platform (300мм),  Polygon 8300 platform (300мм), Polygon 8200 platform (200мм)
• Назначение: осаждение подзатворных high-k диэлектриков (оксид гафния, силикат гафния); осаждение защитных слоев high-k диэлектриков для настройки рабочих функций металлических затворов; осаждение высокоскоростного оксида алюминия; осаждение конформных пассивирующих слоев; осаждение high-k диэлектриков для МЭМС
• Процессные камеры (реакторы): 1
• Робот-манипулятор для перемещения пластин
• Пластины: ø200мм, ø300мм
• Обработка по одной пластине в камере
• Использование как жидких (TMA, HfCl₄ и т.д.), так и твердых прекурсоров для создания слоев
• Нагреватель подложкодержателя
• Газовые линии с РРГ
• Применяемые газы: Ar, N₂, сжатый воздух и прочие
• Вакуумная система: безмасляные форвакуумные насосы
• Электроэнергия: 380В, 3ф, 50/60Гц  /  208В, 3ф, 50/60Гц

к списку