Heidelberg DWL 66XL+

  • Установка лазерной литографии для НИОКР
  • Диодный лазер 405 нм, 300 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 70 мВт
  • Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
  • Максимальный размер подложки до 430 х 430 мм2
  • Толщина подложек до 6 мм
  • Максимальная область экспонирования 400 х 400 мм2
  • Минимальный размер структурного элемента 0,8 мкм
  • Разрешение позиционирования столика 10 нм
  • Размер адресной сетки уменьшен до 20 нм
  • Режимы многократного нанесения рисунка
  • Режим трехмерной экспозиции
  • Опция режима векторного экспонирования
  • Скорость экспонирования от 25 до 145 мм2/мин
  • Поддержка форматов BMP, DXF, STL, ASCII
  • Электричество 220-240 В, 50 Гц, 16А
  • Встроенная прецизионная система поддержания микроклимата ±0,1 ОС, класс чистоты в рабочей зоне установки ИСО 4. Рекомендуемые параметры микроклимата для помещения 21 ± 1 ОС, класс чистоты ИСО 5.

к списку