«СтратНаноТек Инвест»

R200

  • Установка вакуумного травления в удаленной плазме для серийного производства
  • Назначение: плазмохимическое удаление полимеров, в т.ч. фоторезиста, с кремниевых пластин при производстве полупроводниковых изделий, чувствительных к наведенному заряду
  • Подложки: полупроводниковые пластины ø100мм/ ø150мм/ ø200мм
  • Подложкодержатель: столик ø100мм/ ø150мм/ ø200мм
  • Загрузка: роботизированная кассетная
  • Количество портов загрузки: 1 или 2
  • Автоматическое определение размера пластин
  • Производительность: ≤ 120 пл/ч
  • Скорость травления: > 11мкм/мин
  • Источник плазмы: ICP
  • Рабочая температура: до 350°С
  • Контроль: по времени окончания процесса
  • Система управления с сенсорным экраном
  • Газовая система
  • Равномерность: ≤ ±3%
  • Высоковакуумная система откачки
  • Газоанализатор (быстродействующий спектрометр) в линии откачки:  для определения момента окончания травления по спектру эмиссии плазмы
  • Электроэнергия: 380/220В±10%, 3ф, N, PE, 50/60Гц, ≤16кВт
  • Габаритные размеры установки: 2100х1400х1900мм
  • Опции: контроль по составу рабочей  среды

Vega

  • Однопозиционная установка вакуумного травления в удаленной плазме для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: травления фоторезиста в удаленной плазме
  • Подложки: полупроводниковые пластины ø100мм/ ø150мм
  • Подложкодержатель: столик ø100мм/ ø150мм
  • Загрузка: ручная через шлюзовую камеру
  • Манипулятор для переноса пластины в технологическую область
  • Производительность: ≤ 30 пл/ч
  • Скорость травления: > 11мкм/мин
  • Дополнительные технологии: смещение на подложке; ионно-плазменное ассистирование
  • Мощность генератора: ≤1,0кВт
  • Рабочая температура: (70÷320)°С
  • Система окончания процесса
  • Система управления с сенсорным экраном
  • Газовая система
  • Привносимая дефектность: ≤0,15  частиц (0,2 мкм) на см2
  • Равномерность: ≤ ±3%
  • Высоковакуумная система откачки
  • Предельный вакуум: ≤2х10-5Па
  • Электрическая система с резервным источником питания
  • Габаритные размеры установки: 900х550х1550мм
  • Масса установки:  400 кг
  • Опции: роботизированный модуль кассетной загрузки-выгрузки

Keto

  • Однопозиционная установка вакуумного плазмохимического травления материалов для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для плазмохимического травления Si, poly-Si, SiO2, Si3N4, GaAs, GaN, InP, Ni, Ti, WSix, Al2O3, TiO2
  • Подложки: полупроводниковые пластины ø100мм/ ø150мм
  • Подложкодержатель: столик ø100мм/ ø150мм
  • Загрузка: ручная через шлюзовую камеру
  • Манипулятор для переноса пластины в технологическую область
  • Производительность: ≤ 20 пл/ч
  • Скорость травления: Si ≥ 3мкм/мин; poly-Si ≥ 0,5мкм/мин
  • Дополнительные технологии: смещение на подложке; ионно-плазменное ассистирование
  • Мощность генератора (13,56 МГц): ≤1,25кВт
  • Рабочая температура: (25÷60)°С
  • Система окончания процесса
  • Система управления с сенсорным экраном
  • Газовая система
  • Привносимая дефектность: ≤10 частиц (≥ 0,35 мкм) на пластину
  • Равномерность: ≤ ±5%
  • Высоковакуумная система откачки
  • Предельный вакуум: ≤2х10-5Па
  • Электрическая система с резервным источником питания
  • Габаритные размеры установки: 900х550х1550мм
  • Масса установки:  400 кг
  • Опции: роботизированный модуль кассетной загрузки-выгрузки

Delta-IR-10

  • Высоковакуумная установка плазмохимического травления и осаждения материалов для нанесения оптических покрытий
  • Назначение: для для ионно-плазменной очистки оптических поверхностей и нанесения углеродных алмазоподобных (DLC) и просветляющих покрытий (IR) методом плазмохимического осаждения (PECVD) в производстве прецизионных оптических деталей
  • Подложки: плоские / выпуклые / вогнутые детали до ø500мм
  • Материал подложек: германий, кремний
  • Подготовка подложек: ионно-плазменная очистка
  • Технология очистки: травление производится в диодной схеме емкостного реактора с возможностью варьирования энергии и состава атомов, бомбардирующих поверхность. Возможна обработка в восстановительной, нейтральной и в окислительной среде, удаляя или восстанавливая оксидный слой на поверхности подложек.
  • Для увеличения равномерности травления при обработке обеспечивается вращение и охлаждение технологического столика
  • Нанесение слоев: плазмохимическое осаждение алмазопобного покрытия
  • Вращающийся подложкодержатель: диск ø500мм
  • Особенности: ионно-плазменная очистка реактора для увеличения периода между профилактиками, нанесение покрытий с использованием ацетилена
  • Средства контроля: система  автоматического оптического контроля по детали / свидетелю, расположенных в центре столика
  • Равномерность: ±1,5%  
  • Высоковакуумная безмасляная система откачки: турбомолекулярный насос, сухой форвакуумный механический насос
  • Электроэнергия: 380В, 3ф, 50Гц, ≤22кВт
  • Габаритные размеры установки: 2600х1200х2000мм
  • Масса установки:  ≤2500 кг

MPC (Multi Plasma Cleaner) Series D1

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

  • Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР
  • Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активациии поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
  • Расположение: настольное
  • Форма камеры: цилиндрическая / прямоугольная
  • Объем камеры: (2÷12) л
  • Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
  • Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
  • Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц
  • Мощность генератора: 50 Вт / 100 Вт / 200 Вт
  • Система управления с сенсорным экраном 7’’
  • Количество газов: (1÷3)шт
  • Газовая система: с цифровыми РРГ
  • Электроэнергия: 220 В, 1ф
  • Габаритные размеры установки: 360x570x735мм
  • Масса установки:  40 кг
  • Опции: вакуумный насос (масляный / безмасляный), фитинги для подключения вакуумного насоса, держатель для ПЭМ, клетка Фарадея, полки

MPC (Multi Plasma Cleaner) Series D2

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

  • Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР
  • Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активации поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
  • Расположение: настольное
  • Форма камеры: цилиндрическая / прямоугольная
  • Объем камеры: (5÷24) л
  • Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
  • Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
  • Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц
  • Мощность генератора: 100 Вт / 200 Вт
  • Система управления с сенсорным экраном 7’’
  • Количество газов: (1÷3)шт
  • Газовая система: с цифровыми РРГ
  • Электроэнергия: 220 В, 1ф
  • Габаритные размеры установки: 600x500x700мм
  • Масса установки:  50 кг
  • Опции: вакуумный насос (масляный / безмасляный), фитинги для подключения вакуумного насоса, держатель для ПЭМ, клетка Фарадея, полки

MPC (Multi Plasma Cleaner) Series F1

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

  • Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активации поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
  • Расположение: напольное
  • Форма камеры: цилиндрическая / прямоугольная
  • Объем камеры: (5÷36) л
  • Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
  • Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
  • Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц
  • Мощность генератора: 50 Вт / 100 Вт / 200 Вт / 500 Вт
  • Система управления с сенсорным экраном 13.3’’
  • Количество газов: (1÷3)шт
  • Газовая система: с цифровыми РРГ
  • Электроэнергия: 380 В, 3ф
  • Габаритные размеры установки: 1700x600x850мм
  • Масса установки:  200 кг
  • Опции: вакуумный насос (масляный / безмасляный), фитинги для подключения вакуумного насоса, держатель для ПЭМ, клетка Фарадея, полки

MPC (Multi Plasma Cleaner) Series F2

Выпускаются совместно с  GN tech (ООО «Джиэнтех)

  • Установки плазменной обработки поверхности материалов для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для плазменной очистки поверхностей ионами и химически; для плазменной активации поверхностей; для плазмненного травления (снятие оксидных слоев, микроструктурирование полупроводников, удаление фоторезиста)
  • Расположение: напольное
  • Форма камеры: прямоугольная
  • Объем камеры: (48÷100) л
  • Материалы камеры: кварцевое стекло / нержавеющая сталь / алюминий
  • Тип плазмы: низкочастотная (НЧ) / высокочастотная (ВЧ)
  • Частота генератора: 40 кГц / 80 кГц / 13,56 МГц
  • Мощность генератора: 300 Вт / 500 Вт / 1000 Вт
  • Система управления с сенсорным экраном 13.3’’
  • Количество газов: (1÷3)шт
  • Газовая система: с цифровыми РРГ
  • Электроэнергия: 380 В, 3ф
  • Габаритные размеры установки: 1900x800x900мм
  • Масса установки:  250 кг
  • Опции: вакуумный насос (масляный / безмасляный), фитинги для подключения вакуумного насоса, держатель для ПЭМ, клетка Фарадея, полки