TNSC SR2000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин: 1 x 2″
  • Увеличенные интервалы между техническим обслуживанием за счет оптимизации подачи газовых потоков газа внутри каналов
  • Стабилизация параметров нагрева
  • Опция высокой температуры (HT)
  • Тип реактора: 2″ горизонтальный поворотный токоприемник
  • Пластины: лицевой стороной вверх
  • Материал реактора: Нержавеющая сталь

к списку