TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION

TNSC UR26K MOCVD

  • Установка осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для массового производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин: 10 x 6″ или 6 x 8″

далее


TNSC UR25K MOCVD

  • Установка осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для массового производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, идеально для GaN
  • Автоматизированная система обработки деталей с максимальной производительностью

далее


TNSC MOCVD SR23К

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин: 10 x 2″ или 8 х 3”;

далее


TNSC MOCVD SR24К

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин: 12 x 3″ или 5 х 6”;

далее


TNSC SR6000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин:  6 x 2″ или 3 x 3″ или 1 x 6″

далее


TNSC SR4000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин:  3 x 2″ или 1 x 4″

далее


TNSC SR2000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин: 1 x 2″

далее


TNSC HR3000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин:  1 х 2” или 1 х 3”

далее


TNSC HR4000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин: 3 х 2” или 1 х 4”

далее


TNSC HR8000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин:  11 х 2” или 6 х 3” или 3 х 4” или 1 х 8”

далее


TNSC HR10000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин: 19 х 2” или 9 х 3” или 3 х 6”

далее


TNSC BRC MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система BRC мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин: 1 х 1″ ~ 4″ или 3 х 2″

далее


TNSC BMC MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система BMC для массового производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин:  42 х 2″ ~ 6 х 6″

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.