PlasmaPro NGP 80

  • Малогабаритные установки
  • Варианты исполнения: ПХО (PECVD), РИТ (RIE), ПХТ (PE), РИТ/ ПХТ (RIE/PE), ПХТ с ИСП (ICP Etch)
  • Подложки: 2” – до 9 шт; 3” – до 4 шт; 4” – до 2 шт; 6” – 1 шт; 8” – 1 шт с непосредственной загрузкой в рабочую камеру (ICP Etch – до 2”)
  • Для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства
  • Температура процесса: от (+10 ÷ +80)°С  до (-140 ÷ +400)°С в зависимости от варианта
  • Линий подачи газа с РРГ: до 8 (12)
  • Поддув гелия под подложку: в зависимости от варианта исполнения
  • Возбуждение плазмы: ВЧ (НЧ – дополнительная опция для ПХО)
  • Электроэнергия: 400 В, 25 A или 208 В, 32 A; 3 фазы с N+E; 50/60 Гц
  • Сухой очищенный сжатый воздух: 4 ÷ 6 бар, расход суммарный до 140 л/мин
  • Газообразный азот: чистота > 99,99%, давление – 3 бар, расход – 10 л/мин
  • Гелий: давление – 3 бар, расход – 10 л/мин
  • Процессные газы: чистота > 99,99%, давление – (2÷3) бар
  • Вентиляционная вытяжка (отвод отработанных газов): 4”, расход – 1 м3
  • Размер основного блока: 762 мм x 940 мм x 1527 мм
  • Вес: от 275 кг до 330 кг в зависимости от варианта исполнения

к списку