PlasmaPro 80 ICPCVD

  • Компактная малогабаритная установка для химического осаждения из газовой фазы индуктивно-связанной плазмой с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение — осаждение высококачественных однородных слоев диэлектириков (SiO2, Si3N4, SiOxNy), а также кремния (Si) и карбида кремния (SiС)
  • Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
  • Подложки: до ø 200 мм
  • Управление температурой  подложки от 20 до 400°C
  • Нижний электрод (подложкодержатель)  ø 240 мм с системой охлаждения
  • Варианты размера источников индуктивно-связанной плазмы: ø65мм, ø180мм, ø300мм и ø380мм
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек, возможность кассетной загрузки
  • Источник ICP плазмы полностью автоматизирован и содержит 2 RF-модуля
  • Возможность подключения до 12 газовых линий
  • Встроенная плазменная очистка камеры, автоматическая очистка газовых линий с токсичными газами
  • Высокоэффективная вакуумная система с турбонасосом, типовое давление процессов: (1÷10) мТорр
  • Чиллеры, криосистема охлаждения нижнего электрода
  • Электроэнергия: 380В, 3ф, 32А, 50/60Гц
  • Габариты: трехблочная установка с 65-мм источником плазмы — 1630 x 747 x 1516 мм; газовый шкаф на 12 газов — 650 x 220 x 1312 мм
  • Вес: трехблочная установка с 65-мм источником плазмы – 375 кг; газовый шкаф на 12 газов – 65 кг

к списку