• Автоматическая многокамерная установка химического осаждения из газовой фазы с использованием высокоплотной плазмы и с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: осаждение нелегированных и легированных слоев, включая узкощелевую изоляцию (STI), предметаллический диэлектрик (PMD), межметаллический диэлектрик (IMD), межуровневый диэлектрик (ILD), пассивирующие слои и пр.
• До 4-х процессных камер. Варианты: Ultima S TD, Ultima PLUS, Ultima TE, Ultima-X
• Загрузка в SMIF-контейнерах

далее

• Автоматическая многокамерная установка плазменного травления с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: травление кремния с аспектным разрешением >100:1 для МЭМС, травление сложных структур с пошаговым вскрытием каналов для изделий с МОП-транзисторами с супер переходами, травление оксидов индия-олова  и нитрида галлия для светодиодов и силовых приборов, травление металлов, удаление резиста и пассивация пластин.
• До 4-х процессных камер. Варианты: IPS (травление диэлектриков), eMAX (травление оксидов), Oxide eMXP+ (травление оксидов), Poly Etch MXP (травление поликремния), DPS (травление поликремния), METAL DPS+ (травление металлов (алюминия)), ASP+ (удаление фоторезиста и пассивация пластин), Super E (травление оксидов)
• Кассетная загрузка / загрузка в SMIF-контейнерах

далее

• Автоматическая многокамерная установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: осаждение оксидов, нитридов, диэлектрических антиотражающих покрытий, фосфоросиликатного стекла, боросиликатного стекла и пр.
• До 3-х сдвоенных процессных камер. Варианты: TWIN PECVD TEOS, TWIN PECVD Silane, TWIN PECVD SiN High Temp
• В каждой процессной камере обрабатывается по 2 пластины

далее

• Автоматическая многокамерная установка химического осаждения из газовой фазы с использованием высокоплотной плазмы и с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: осаждение нелегированных и легированных слоев, включая узкощелевую изоляцию (STI), предметаллический диэлектрик (PMD), межметаллический диэлектрик (IMD), межуровневый диэлектрик (ILD), пассивирующие слои и пр.
• До 4-х процессных камер Ultima-X

далее

• Автоматическая многокамерная установка травления индуктивно связанной плазмой с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: травление кремния (Mesa) при формировании критичной узкощелевой изоляции, битовых линий, числовых шин и двойных шаблонов при производстве логических чипов и чипов памяти с топологией ≤32нм; травление металлов (G5)
• Варианты процессных камер: AdvantEdge G5 (травление кремния), AdvantEdge G5 Mesa (травление поликремния), Carina (процесс High-K), Axiom (процесс пост-травления)
• Загрузка в FOUP-контейнерах (Mesa)/ загрузка в SMIF-контейнерах (G5)

далее

• Автоматическая многокамерная установка травления индуктивно связанной плазмой с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: травление кремния при формировании критичной узкощелевой изоляции, битовых линий, числовых шин и двойных шаблонов при производстве логических чипов и чипов памяти с топологией ≤22нм
• До 8 процессных камер: 6-ти камер травления и 2 камеры плазменной очистки от загрязнений после галогенового травления (встроены в загрузочные шлюзы)
• Производительность: до 180 пластин в час

далее

• Автоматическая многокамерная установка травления индуктивно связанной плазмой с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: травление диэлектрика (оксидов), поликремния при производстве чипов Flash и DRAM памяти с топологией ≤90нм
• До 3-х сдвоенных процессных камер. Варианты: Twin XT (травление диэлектрика), Poly Etch Twin (травление поликремния)
• В каждой процессной камере могут обрабатываться 1 или 2 пластины одновременно

далее

• Автоматическая многокамерная установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: осаждение оксидов, нитридов и прочих пленок  при производстве чипов с топологией ≤45нм
• До 3-х сдвоенных процессных камер. Варианты: TWIN PECVD TEOS, TWIN PECVD Silane, TWIN PECVD TSV Avila TEOS,  Twin PECVD TSV Avila Silane
• В каждой процессной камере обрабатывается по 2 пластины

далее

• Автоматическая многокамерная установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
• Назначение: осаждение оксидов, нитридов, нелегированного силикатного стекла и пр.
• До 3-х сдвоенных процессных камер. Варианты: TWIN PECVD TEOS, TWIN PECVD Silane, TWIN PECVD SiN High Temp,  Twin PECVD APF
• В каждой процессной камере обрабатывается по 2 пластины

далее