AIXTRON 2800 G4 MOCVD

AIXTRON 2800 G4 HT

AIXTRON 2800 G4 R

AIXTRON-2800-G4-TM

AIXTRON 2800 G4 WW

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Высокотемпературный планетарный реактор четвертого поколения от компании AIXTRON
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются — облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
  • Подложки:

AIXTRON 2800 G4 TM: 60×2″, 15×4″, 5×8″

AIXTRON 2800 G4 HT: 42×2″, 11×4″, 6×6″

AIXTRON 2800 G4 R: 60×2″, 14×3″, 15×4″, 8×6″

AIXTRON 2800 G4 WW: 10×4″, 6×6″

  • Температура роста:

AIXTRON 2800 G4 TM: 850°C

AIXTRON 2800 G4 HT: 1200° — 1300°C

AIXTRON 2800 G4 R: 850° — 1200°C

AIXTRON 2800 G4 WW: 1500° — 1700°C

  • Применение:

AIXTRON 2800 G4 TM: Материалы на основе As/P

AIXTRON 2800 G4 HT: Материалы на основе GaN

AIXTRON 2800 G4 R: Материалы на основе AlGaInP

AIXTRON 2800 G4 WW: Материалы на основе SiC

Система AIXTRON 2800 G4 TM используется:

  • для производства эпитаксиальных материалов на основе InP для разработки и производства полупроводниковых лазеров большой мощности и детекторов высокоскоростной оптической передачи данных
  • для производства эпитаксиальных материалов на основе арсенида галлия для производства красных, оранжевых и желтых ROY-светодиодов и солнечных батарей

Система AIXTRON 2800 G4 HT используется:

  • для производства эпитаксиальных материалов на основе GaN для разработки и производства мощных светодиодных чипов (Power Chip LEDs), оптоэлектронных приборов, приборов для систем фотовольтаики

Система AIXTRON 2800 G4 R используется:

  • для производства эпитаксиальных материалов на основе арсенида галлия (GaAs) для производства космических солнечных батарей
  • для производства эпитаксиальных материалов на основе AlGaInP для производства ультра-высокой яркости красных / оранжевых / желтых светоизлучающих диодов (UHB-LEDs).

Система AIXTRON 2800 G4 WW используется:

  • для производства эпитаксиальных материалов на основе карбида кремния (SiC) для производства сверхмощных, высокотемпературных и радиационностойких полупроводниковых приборов
 
 

к списку