AIXTRON

AIXTRON 200 MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений
  • Применение: материалы на основе GaAs и InP, соединения А2В6, сверхпроводники
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 1×2″

    далее


AIXTRON 200/4 MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
  • Применение: материалы на основе GaAs и InP
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 1×2″, 1×3″, 1×4″, 3×2″

далее


AIXTRON 200 R2 MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии
  • Применение: материалы на основе As/P
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 3×2″

далее


AIXTRON 200 RF MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
  • Применение: материалы на основе GaN
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 1×2″

далее


AIXTRON 200/4 RF-S MOCVD

  • ИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
  • Применение: материалы на основе GaN
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 1×2″

далее


AIXTRON 2000 HT MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
  • Применение: GaN, AlGaN, GaInN
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее


AIXTRON 2400 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Применение: Материалы на основе SiC
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее


AIXTRON VP2400 HW MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Применение: Материалы на основе SiC
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее


AIXTRON 2400/G2 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее


AIXTRON 2400/G3 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее


AIXTRON 2600 G3 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Высокотемпературный планетарный реактор третьего поколения от компании AIXTRON
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее


AIXTRON 2800 G4 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Высокотемпературный планетарный реактор четвертого поколения от компании AIXTRON
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее


AIXTRON G5 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Высокотемпературный планетарный реактор пятого поколения от компании AIXTRON

далее


AIXTRON R6 MOCVD

  • Новая система мос-гидридной эпитаксии для производства светодиодов
  • Материалы на основе GaN
  • Система параметров оптимизированных для массового производства
  • Система оснащена многочисленными техническими новшествами повышающими конкурентоспособность

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.