НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
Применение: GaN, AlGaN, GaInN
Планетарный реактор
Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
Высокотемпературный планетарный реактор третьего поколения от компании AIXTRON
Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
Высокотемпературный планетарный реактор четвертого поколения от компании AIXTRON
Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой