VISTEC Electron Beam GmbH

VISTEC EBPG5150, VISTEC EBPG5200

  • Система электронно-лучевой литографии
  • Максимальный размер подложек: EBPG5150 фотошаблоны до 5 дюймов, пластины диаметром до 150 мм; EBPG5200 фотошаблоны до 7 дюймов, пластины диаметром до 200 мм

Технические характеристики VISTEC EBPG5200:

  • Ускоряющее напряжение: 20, 50, 100 кВ (TFE источник)
  • Макс. частота генератора развёртки: 50 МГц
  • Отклонение луча в основном поле: 20 бит ЦАП
  • Размер рабочего поля: от 168 мкм х 168 мкм до 1 мм х 1 мм (при 20, 50, 100 кВ)
  • Мин. теоретический размер пятна: 2.2 Нм
  • Пределы перемещения координатного стола: 210 мм х 210 мм
  • Режим  экспонирования: Пошаговый
  • Ускоренная передача данных экспонирования
  • Лазерный интерферометр: λ/1024
  • Термическая стабильность: < 50 нм / ч (открытый цикл)
  • Мин. размер элемента структуры: < 8 нм
  • Точность стыковок и наложений полей: < ±12 нм
  • Автоматизация: шлюз с 10 держателями
  • Графический интерфейс: GUI
  • Площадь, занимаемая оборудованием в ЧПП: менее 20 м2
  • Модульная архитектура установки

VISTEC SB250 SERIES

  • Система электронно-лучевой литографии
  • Ускоряющее напряжение: 50кВ
  • Плотность тока: до 20А/см2
  • Максимальный размер подложек: фотошаблоны до 7 дюймов, пластины диаметром до 200мм
  • Область экспонирования: вся пластина диаметром до 200мм
  • Степень автоматизации: полностью автоматический режим загрузки из кассеты в кассеты (SMIF контейнеры возможны), включая предварительную ориентацию фотошаблонов и пластин
  • Пределы перемещения координатного стола: 210мм х 210мм
  • Лазерный интерферометр: λ/1024
  • Минимальный размер элемента структуры < 50нм, 25нм при использовании резиста HSQ
  • Режимы экспонирования: VSB (variable shaped beam\ электронный луч с изменяемым сечением), векторное сканирование
  • Количество факторов дозы экспонирования: до 255
  • Графическоий интерфейс пользователя: по стандарту GUI SEMI E95
  • Площадь, занимаемая оборудованием в ЧПП: менее 20 м2
  • Модульная архитектура установки
  • Опциональный режим экспонирования: многопроходное экспонирование
  • Оциональная комбинация из электронно-лучевой и оптической литографии: MDSP (программное обеспечение для распознования маркерных знаков), включая метрологию

VISTEC SB3050 SERIES

  • Система электронно-лучевой литографии с изменяемым сечением электронного луча
  • Ускоряющее напряжение: 50кВ
  • Плотность тока: 20А/см2
  • Минимальная адресная сетка: 1нм
  • Максимальный размер подложек: фотошаблоны до 230мм (квадратные), пластины диаметром до 300мм
  • Область экспонирования: вся пластина диаметром до 300мм
  • Пределы перемещения координатного стола: 310мм х 310мм
  • Минимальный размер элемента структуры < 32нм
  • Режимы экспонирования: VSB (variable shaped beam\ электронный луч с изменяемым сечением), векторное сканирование, многопроходное экспонирование
  • Комбинация из электронно-лучевой и оптической литографии: MDSP (программное обеспечение для распознования маркерных знаков), включая метрологию
  • Количество факторов дозы экспонирования: до 255
  • Графическоий интерфейс пользователя: по стандарту GUI SEMI E95
  • Площадь, занимаемая оборудованием в ЧПП: менее 27 м2
  • Опциональная возможность проекции ячеек (CP) в комбинации с VSB принципом