ФГУП ЭЗАН

НИКА-3

  • Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского
  • Диаметр тигля для расплава: до 150 мм
  • Масса кристалла: до 5 кг; до 10 кг
  • Чувствительность датчика веса: ≥0,02 г; ≥0,04 г
  • Рабочий ход верхнего штока: 550 мм
  • Рабочая скорость перемещения верхнего штока: 0,1-120 мм/час
  • Скорость вращения верхнего штока: 1-100 об/мин
  • Рабочий ход нижнего штока: 200 мм
  • Источник нагрева: индукционный
  • Тип преобразователя: транзисторный (IGBT)
  • Выходная мощность преобразователя: 40 кВт; 100 кВт
  • Диапазон использования выходной мощности преобразователя частоты: 1-100 %
  • Максимальная температура рабочей зоны:  2100°С
  • Давление инертного газа в камере:  не более 1,5х105Па 
  • Предельный форвакуум:   не более 2,6 Па
  • Потребляемая мощность установки (без преобразователя частоты): не более 3 кВт
  • Расход воды:  ≤5 м³/ч
  • Давление охлаждающей воды: от 200 до 250кПа
  • Адаптивная (самонастраивающаяся) система автоматического управления диаметром кристалла

НИКА-ПРОФИЛЬ

  • Автоматизированная установка для выращивания профилированных монокристаллов сапфира
  • Вид кристалла: полоса, стержень, трубка
  • Диаметр тигля для расплава: 250 мм
  • Масса кристалла: до 5 кг; до 10 кг
  • Чувствительность датчика веса: ≥0,02 г; ≥0,04 г
  • Рабочий ход верхнего штока: 850 мм
  • Рабочая скорость перемещения штока: 6-120 мм/час
  • Источник нагрева: индукционный
  • Тип преобразователя: транзисторный (IGBT)
  • Выходная мощность преобразователя: 100 кВт
  • Частота генератора: 5-20 кГц
  • Диапазон выходной мощности: 1-100%
  • Максимальная температура рабочей зоны:  2200°С
  • Давление инертного газа в камере:  не более 1,5х105Па 
  • Предельный форвакуум:   не более 2,6 Па
  • Установленная мощность: 120 кВА
  • Расход воды:  ≤5 м³/ч
  • Давление охлаждающей воды: от 200 до 250кПа
  • Система автоматического управления процессом роста кристалла
  • Установка может комплектоваться прецизионной системой резистивного нагрева номинальной мощностью 120 кВт.

НИКА М-30

  • Автоматизированная установка для промышленного выращивания кристаллов искусственного сапфира методом Киропулоса
  • Прямое высокоточное взвешивание кристалла
  • Размеры тигля для расплава (диаметр х высота): 250х300 мм
  • Масса кристалла: 30  кг
  • Чувствительность датчика веса: не менее 1 г
  • Источник нагрева: Резистивный
  • Максимальная температура рабочей зоны:  2200°С
  • Скорость перемещения штока: от 0,1 до 3600 мм/час
  • Скорость вращения штока: от 1 до 20 об/мин
  • Рабочий ход штока: 200  мм
  • Предельный вакуум в ростовой камере: 5х10-5  мм.рт.ст.
  • Электричество: 3ф, 380 В, 50 Гц
  • Установленная мощность: 100 кВт
  • Расход воды:  ≤7   м³/ч
  • Давление охлаждающей воды: от 150 до 250кПа
  • Система видеонаблюдения; измерение  и контроль массовой скорости кристаллизации

НИКА М-60

  • Автоматизированная установка для промышленного выращивания монокристаллов сапфира методом Киропулоса
  • Размеры тигля для расплава (диаметр х высота): 300х450 мм
  • Масса кристалла: до 70  кг
  • Чувствительность датчика веса: ≥1 г
  • Источник нагрева: Резистивный
  • Максимальная температура рабочей зоны:  2200°С
  • Скорость перемещения штока: от 0,1 до 3600 мм/час
  • Скорость вращения штока: от 1 до 20 об/мин
  • Рабочий ход штока: 200  мм
  • Предельный вакуум в ростовой камере: 1,5х10-5  мм.рт.ст.
  • Электричество: 3ф, 380 В, 50 Гц
  • Установленная мощность: 100 кВт
  • Расход воды:  ≤7   м³/ч
  • Давление охлаждающей воды: не менее 200 кПа
  • Система видеонаблюдения; измерение  и контроль массовой скорости кристаллизации

Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов карбида кремния

  • Метод выращивания карбида кремния (SiC): Сублимационный
  • Максимальные размеры кристалла: диаметр до 80 мм; высота до 30 мм
  • Диаметр тигля для шихты: до 110 мм
  • Внутренний диаметр кварцевого ректора: 210  мм
  • Максимальная температура сублимации: до  2600°С
  • Источник нагрева: индукционный
  • Тип преобразователя: Транзисторный (IGBT) с максимальной мощностью 100 кВт
  • Выходная мощность ВЧ генератора: до 100 кВт
  • Частота генератора: 5-20 кГц
  • Рабочая скорость перемещения штока: 0,1-1 мм/час
  • Рабочий ход штока: 150 мм
  • Предельное давление инертного газа в камере: не более 1,1х105 Па
  • Предельный вакуум в реакторе: не более 10-3 Па
  • Количество линий подачи технологических газов: не менее 2-х
  • Установленная мощность: 120 кВА
  • Расход воды: не более 3 м³/ч
  • Система автоматического управления процессом роста кристалла