ФГУП ЭЗАН

Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского
Диаметр тигля для расплава: до 150 мм
Масса кристалла: до 5 кг; до 10 кг
Чувствительность датчика веса: ≥0,02 г; ≥0,04 г
Рабочий ход верхнего штока: 550 мм
Рабочая скорость перемещения верхнего штока: 0,1-120 мм/час
Скорость вращения верхнего штока: 1-100 об/мин
Рабочий ход нижнего штока: 200 мм

Источник нагрева: индукционный
Тип преобразователя: транзисторный (IGBT)
Выходная мощность преобразователя: 40 кВт; 100 кВт
Диапазон использования выходной мощности преобразователя частоты: 1-100 %
Максимальная температура рабочей зоны: 2100°С
Давление инертного газа в камере: не более 1,5х10⁵Па
Предельный форвакуум: не более 2,6 Па
Потребляемая мощность установки (без преобразователя частоты): не более 3 кВт
Расход воды: ≤5 м³/ч
Давление охлаждающей воды: от 200 до 250кПа
Адаптивная (самонастраивающаяся) система автоматического управления диаметром кристалла

Автоматизированная установка для выращивания профилированных монокристаллов сапфира
Вид кристалла: полоса, стержень, трубка
Диаметр тигля для расплава: 250 мм
Масса кристалла: до 5 кг; до 10 кг
Чувствительность датчика веса: ≥0,02 г; ≥0,04 г
Рабочий ход верхнего штока: 850 мм
Рабочая скорость перемещения штока: 6-120 мм/час
Источник нагрева: индукционный

Тип преобразователя: транзисторный (IGBT)
Выходная мощность преобразователя: 100 кВт
Частота генератора: 5-20 кГц
Диапазон выходной мощности: 1-100%
Максимальная температура рабочей зоны: 2200°С
Давление инертного газа в камере: не более 1,5х10⁵Па
Предельный форвакуум: не более 2,6 Па
Установленная мощность: 120 кВА
Расход воды: ≤5 м³/ч
Давление охлаждающей воды: от 200 до 250кПа
Система автоматического управления процессом роста кристалла
Установка может комплектоваться прецизионной системой резистивного нагрева номинальной мощностью 120 кВт.

Автоматизированная установка для промышленного выращивания кристаллов искусственного сапфира методом Киропулоса
Прямое высокоточное взвешивание кристалла
Размеры тигля для расплава (диаметр х высота): 250х300 мм
Масса кристалла: 30 кг
Чувствительность датчика веса: не менее 1 г
Источник нагрева: Резистивный
Максимальная температура рабочей зоны: 2200°С
Скорость перемещения штока: от 0,1 до 3600 мм/час

Автоматизированная установка для промышленного выращивания монокристаллов сапфира методом Киропулоса
Размеры тигля для расплава (диаметр х высота): 300х450 мм
Масса кристалла: до 70 кг
Чувствительность датчика веса: ≥1 г
Источник нагрева: Резистивный
Максимальная температура рабочей зоны: 2200°С
Скорость перемещения штока: от 0,1 до 3600 мм/час
Скорость вращения штока: от 1 до 20 об/мин