ЗАВОД «КРИСТАЛЛ»

Установка предназначена для выращивания широкого спектра совершенных монокристаллов методом Чохральского
Диаметр рабочей камеры: 600мм
Высота рабочей камеры: 1200мм
Ход рабочего штока: 500мм
Тип нагрева: индукционный, низкочастотный
Среда выращивания: контролируемая, при давлении от нормального до избыточного (3,92 х 10⁴ Па)
Мощность генератора: 50 кВт
Размеры выращиваемых кристаллов: алюмоиттриевого граната — 76мм; ниобата лития — 100мм

Процессные газы: Ar, He, N₂, O₂
Диапазон расхода газов при избыточном и проточном режиме при давлении в камере (0,1÷0,2) кгс/см²: аргон (азот) – (0,4÷1,2)м³/ч; кислород – (0,008÷0,024)м³/ч
Диапазон изменения приведенной скорости рабочего перемещения привода: (0,1÷20) мм/ч
Скорость установочного перемещения: (1÷200)мм/мин
Вакуумно-газовая система: вакуумный ротационный агрегат АВР 150; система вакуумпроводов, снабженная сильфонными компенсаторами; запорная, регулирующая и измерительная аппаратура; фильтр; ловушки
Диапазон изменения частоты вращения: (1÷40)об/мин
Рабочий ход вытягивания: (500+10)мм
Охлаждающая вода: Твх≤20°С, (4±0,5)кг/см², Q≤4м³/ч
Автоматическое управление: PC-совместимый промышленный компьютер
Электроэнергия: 380В, 3ф, 50Гц
Габариты: занимаемая площадь 25 м², максимальная высота ≤3,2м
Масса: 3500кг

Установка (электропечь) для выращивания профилированных кристаллов высокотемпературных окислов
Назначение: выращивания профилированных кристаллов высокотемпературных окислов (трубок) и другой продукции
Максимальный диаметр трубки: до 40мм
Максимальная длина трубки: до 800мм
Рабочий вакуум: до 6,7·10^–3Па
Рабочая температура: ≥(2000÷2200)°С
Продолжительность технологического процесса: 5ч
Удельная мощность: ≤0,012кВт/мм

Процессные газы: He, Ar
Избыточное давление инертного газа: 0,025мПа
Охлаждающая вода: ≤5м³/ч
Вакуумно-газовая система: вакуумный агрегат АВР 150; система вакуумпроводов, снабженная сильфонными компенсаторами; фильтр; вакуумные вентили
Электроэнергия: 220/380В, 3ф, 50Гц, 70кВт
Масса: ≤2800кг

Электропечь предназначена для выращивания монокристаллических пластин тугоплавких материалов методом зонного проплавления
Назначение: выращивание лейкосапфира, алюминиево-иттриевого граната методом горизонтально направленной кристаллизации в вакууме
Максимальные размеры получаемых кристаллов: высота – (20÷40)мм; ширина — 175мм; длина — 320мм
Производительность: до 50кг в месяц
Среда в рабочем пространстве: ваккуум или инертный газ
Предельный вакуум: 6,65х10^-3Па (5х10^-5 мм.рт.ст.)
Номинальная температура: 2200°С
Охлаждающая вода: ≤3,5м³/ч
Вакуумная система
Электроэнергия: 380В, 3ф, 50Гц, 60кВт
Габариты: 1850х3000х2100мм
Масса: 2700кг

Обратная связь