Ion Beam Services

IBS IMC-200(400)/IMC-200(400)P/IMC-200(400)RD

  • Установка ионной имплантации для специальных применений (IMC-200), серийного производства (IMC-200P), НИОКР и мелкосерийного производства (IMC-200RD). Для  средних  и  крупных  серий предназначена также модель IHC-160P
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин Si, SiC, GaAs, InSb, Al2O3 и других для производства изделий микроэлектроники
  • Загрузка: ручная (IMC-200, IMC-200RD) или автоматизированная (IMC-200P)
  • Подложки: от 1 см2 до ø 150 мм (пластины – до ø 200 мм)
  • Высоковакуумная процессная камера
  • Подложкодержатель с механическим зажимом пластин
  • Возможный диапазон температур подложек: (-150÷600) °С
  • Ток пучка ионов: 0,15 мА (11В); 0,3 мА (75As, 31P); возможен до 1,5 мА
  • Диапазон энергий: (2÷210) кэВ – для серии 200; (2÷400) кэВ – для серии 400
  • Диапазон доз: (1·1011÷2·1018) 1/см2
  • Диапазон углов имплантации: (0÷45)°
  • Использование косвенно нагретого катода (IHC)
  • Система электростатического сканирования
  • Максимальное напряжение ускорителя: ≥180 кВ
  • Возможность имплантации с двойным зарядом
  • Газовые линии с РРГ: до 8-ми
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, H2, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Чиллер водяного охлаждения
  • Система управления: компьютерная
  • Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы
  • Размеры: 5000×3000×2700 мм
  • Вес: около 10000 кг
  • Опции: система роботизированной загрузки (на 25 пластин); дополнительная система загрузки (одновременное наличие ручной и автоматизированной загрузки); возможность использования твердотельных (например, Al, Yb, Te и другие) и жидких источников (например, CCl4, TiCl4 и других) для имплантации; система нагрева подложек; системы охлаждения подложек водой и жидким азотом (-150°С); генератор водорода; гелиевый компрессор для криогенных насосов; система подготовки деионизованной воды

IBS FLEXion 200/400/400-SiC

  • Установка среднетоковой ионной имплантации для применения от НИОКР до среднесерийного производства
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин SiC, HgCdTe, GaAs, GaN и других для производства силовых устройств, изделий оптоэлектроники, инфракрасной оптики и т.д.
  • Загрузка: ручная или автоматизированная
  • Подложки: образцы до 200 мм и пластины до ø 200 мм
  • Высоковакуумная процессная камера
  • Термостабилизируемый подложкодержатель
  • Температура пластины: до 650°С (SiC)
  • Система быстрого нагрева / охлаждения подложкодержателя
  • Ток пучка ионов: до 0,9 мА (вариант – до 3 мА)
  • Диапазон энергий: (3÷400) кэВ – для однозарядных ионов; возможена до 1,2 МэВ
  • Диапазон доз: (5·1010÷5·1018) 1/см2
  • Угол поворота подложки: (0÷90)°
  • Использование косвенно нагретого катода (IHC)
  • Ионные источники для имплантации: Al, Be и др.
  • Газовые линии с РРГ: до 8-ми
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Охлаждение подложкодержателя жидким N2 до температуры (-100) °С
  • Система управления: компьютерная
  • Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы

IBS PULSION HP / PULSION Nano

  • Установки плазменной иммерсионной ионной имплантации, сочетающие низкую энергию ионов и высокую дозу, для НИОКР, опытного (PULSION Nano) и серийного производства (PULSION HP)
  • Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин poli-Si, КНО, SiGe, SiC, соединений III-V и других для производства полупроводниковых наноустройств (PULSION Nano), изготовления 3D-устройств, силовых приборов, солнечных  элементов, транзисторов со сверхмеркими переходами, плавниковых полевых транзисторов, компенсирующего легирования поликремниевых затворов ДЗУПВ с возможностью точного контроля глубины легирования
  • Загрузка: ручная (PULSION Nano) или автоматизированная (PULSION Nano, PULSION HP)
  • Пластины: ø 100 мм, ø 150 мм, ø 200 мм, ø 300 мм (в зависимости от модификации)
  • Производительность: 100 пл/ч (PULSION HP с 4-мя камерами)
  • Высоковакуумная процессная камера из алюминиевого сплава: (1÷2)шт – PULSION Nano; (1÷4)шт – PULSION HP
  • Камера пассивации / дегазации
  • Вращающийся подложкодержатель
  • Температура пластины: до 500°С
  • Источник удаленной индуктивно-связанной плазмы
  • Диапазон энергий: (0,1÷10) кэВ; опционно – до 50 кэВ 
  • Диапазон доз: (1·1014÷1·1018) 1/см2
  • Система подачи жидких источников (например, TMA и других) для имплантации
  • Газовые линии с РРГ: до 6-ти на каждую камеру
  • Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, B2H6, SiH4, SiF4, GeH4, GeF4, CH4, CF4, O2, H2, SF6, He, Ar, N2 и другие
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Вытяжная вентиляция
  • Чиллер для охлаждения подложкодержателя: 4 кВт
  • Система управления: компьютерная
  • Вакуумная система: турбомолекулярные, безмасляные форвакуумные насосы