FHR ALD 100

  • Установка атомно-слоевого осаждения со специальными газовыми линиями
  • Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiNx и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
  • Пластины: до Ø100 мм
  • Нагрев подложки: до 600°C
  • Узел распыления газов
  • Совмещенная камера для ручной загрузки и перемещения
  • Загрузка по1 подложке в боксе с ламинарным потоком
  • Корпус реактора из нержавеющей стали, нагреваемый до 80°C, с обдувом аргоном зазоров, внутренняя камера из алюминия, нагреваемая до 100°C
  • 3 газовые линии исходных реагентов (нагреваемые до 200/ 230°C), 1 резервный канал
  • 3 барботера (1 — охлаждаемый, 2 — нагреваемые)
  • Газовые линии: 2 — основные, 3 – резервные

к списку