Trion Technology Titan (RIE/RIE+HDICP/PECVD)

  • Компактная автоматическая установка реактивно-ионного травления/ реактивно-ионного травления  совместно с травлением высокоплотной индуктивно-связанной плазмой либо плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы  для опытного и серийного производства
  • Назначение: травление GaAs, AlGaAs, GaN, InP, силицидов, Al, Cr и прочих материалов; осаждение SiOх, SiNх, SiOxNу, SiC, a-Si и прочих материалов
  • Загрузка из кассет по одной пластине или группе пластин на носителе через вакуумный шлюз с манипулятором и кассетным элеватором. Возможность установки до двух кассетных загрузчиков и одного ручного загрузочного шлюза
  • Пластины: от ø3″ до ø300мм, части пластин.Возможна групповая загрузка пластин – 4 х ø3″, 3 х ø4″, 7 х ø2″
  • Источник плазмы: RIE — 600Вт, 13,56МГц, с автоматическим согласованием сопротивления
  • Нижний электрод: ø200мм либо ø300мм (зависит от варианта установки) с электростатическим (опционно) или механическим захватом, оперативное управление температурой подложкодержателя
  • Газовая система: до 8 газовых линий с РРГ, продувочный азот
  • Применяемые газы: Cl2, BCl3, SiCl4, SiF4, HBr, NH3, O2, Ar, CF4, SiH4, N2O, SF6, N2 и прочие
  • Вакуумная система: турбомолекулярный (вариант) и форвакуумные насосы
  • Система управления: компьютерная, с сенсорным экраном; автоматическая система управления давлением
  • Габариты: (520x1810x1352) мм
  • Опционно: различные варианты насосных систем; система измерения и оповещение об окончании процесса по лазерному интерферометру / оптическому эмиссионному спектрометру; источник ICP-плазмы с автоматическим согласованием сопротивления; электростатический прижим пластины

к списку