RIGAKU


Rigaku TXRF-V450

  • Промышленные системы полного рентгеновского отражения
  • Системы рентгено флюоресцентного анализа с полным внешним отражением  для промышленного применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
  • Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
  • Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее


Rigaku TXRF V310, Rigaku TXRF 310e, Rigaku TXRF 310

  • Промышленные системы полного рентгеновского отражения
  • Системы рентгено флюоресцентного анализа с полным внешним отражением  для промышленного применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
  • Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
  • Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее


Rigaku TXRF 3760

  • Промышленные системы полного рентгеновского отражения
  • Системы рентгено флюоресцентного анализ с полным внешним отражением  для применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
  • Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
  • Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее


Rigaku TXRF 3800e

  • Промышленные системы полного рентгеновского отражения
  • Системы рентгено флюоресцентного анализ с полным внешним отражением  для применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
  • Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
  • Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее


Rigaku SVEE300

  • Отдельно стоящая система разложения в газовой фазе (VPD)
  • Система предназначена для концентрации поверхностных загрязнений в капли для последующего анализа на системах Рентгено флюоресцентного анализа с полным внешним отражением 
  • Встроенная система автоматического разложения в газовой фазе (VPD)* для подготовки пластин и концентрации загрязнений в капле для последующего рентгеновского анализа.
  • Использование подготовки VPD позволяет 100-кратно увеличить предел

далее


Rigaku MFM310

  • Комбинированная промышленная система
  • Аналитическая система объединяющая в себе рентгеновскую рефлектометрию, рентгенофлуоресцентный анализ и рентгеноструктурный анализ, позволяющие измерять: толщину, плотность, и состав пленок на пластинах с нанесенным диэлектрическим слоем и профилированных пластина
  • Высокопотоковая система измерений для встраивания в полупроводниковое производство
  • Возможность определения:
    • Толщины, плотности пленок
    • Шероховатости
    • Измерения состава, фазы, кристалличности, преимущественной ориентации
    • Исследование многослойных металлических и диэлектрических пленок

далее


Rigaku WaferX 310

  • Промышленные системы дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
  • Система предназначена для одновременного определения толщины пленок и определения состава
  • Система идеальна для измерения борофосфосиликатного стекла, фосфосиликатного стекла и металлических пленок, многослойных пленок, пленок электродов, пленок феродиэлектриков, FRAM, следующего поколения динамической памяти с произвольным доступом, пленок оксида кремния и др.
  • Подходит для всех типов пленок

далее


Rigaku WDA-3650

  • Промышленные системы дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
  • Система предназначена для одновременного определения толщины пленок и определения состава
  • Система идеальна для измерения борофосфосиликатного стекла, фосфосиликатного стекла и металлических пленок, многослойных пленок, пленок электродов, пленок феродиэлектриков, FRAM, следующего поколения динамической памяти с произвольным доступом, пленок оксида кремния и др.
  • Подходит для всех типов пленок

далее


Rigaku AZX400

  • Система последовательной дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
  • Система предназначена для определения толщины пленок и определения состава для больших и тяжелых образцов, пластин и дисков с высоким разрешением.
  • Размер образцов: диаметр до 400мм, толщина до 50мм, масса до 30кг
  • Поле измерения: 30-0.5мм в диаметре

далее


Rigaku SmartLab

  • Система последовательной дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
  • Полностью автоматический рентгеновский дифрактометр (XRD) характеризации тонких пленок, наноматериалов и порошков с горизонтальным расположением исследуемого образца. Может применяться для определения различных параметров тонких пленок: композиционный анализ, анализ направления и ориентации, определение кристалличности, характеризация релаксации решетки, определение деформаций и остаточных напряжений решетки, анализ толщины пленки, шероховатости интерфейса, анализ плотности пленки, определение однородности в плоскости и т.д.
  • Встроенный режим малоуглового рентгеновского рассеивания (SAXS) для экспериментально-расчетного анализа распределения по размерам наночастиц жидких дисперсий, экспериментально-расчетного анализа распределения по размерам наночастиц и пор тонких пленок и внутри массивных образцов, определения формы наночастиц и пор, экспериментально-расчетный анализ корреляционной функции распределения нерегулярной электронной плотности и т.д.
  • Рентгеновская трубка: Cu, мощность 3 кВт,9 кВт (с вращающимся анодом)

далее