Mask Etcher Series

  • Установка для производства фотошаблонов высокого разрешения с применением технологии индуктивно-связанной плазмы.
  • В зависимости от модификации установки позволяет получать элементы с топологическим размером менее: 1 – 250нм, 2 – 180нм, 3 – (130÷90)нм, 4 – (65÷45)нм, 5 – (32÷ 22)нм
  • Варианты загрузки: автоматизированная загрузочная станция; загрузка пластин из SMIF-контейнера через буферную зону
  • Имеется возможность применять Cr, MoSi, кварц, ультрафиолетовое облучение, импринтные технологии
  • Подложкодержатель (электрод) диаметром от 11″ до 15,6″, цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов
  • Регулировка температуры в реакторе: <2÷70°C
  • Источник плазмы: ICP — 2000 Вт, 2 МГц
  • Комплексное управление оконечными устройствами с различными опционными измерительными устройствами, протокол внештатных ситуаций, различные уровни доступа пользователей, управление процессом в реальном времени с визуальным отображением данных на мониторе
  • Турбомолекулярный насос: ≥1300 л/с
  • Электропитание: 400В, 50/60Гц, 3ф; 200÷230В, 50/60Гц, 3ф
  • Габариты: ширина – 3623 мм, глубина — 4156 мм – для кластера с тремя модулями и блоком загрузки

к списку