PLASMA-THERM

VERSALINE ICP/RIE

  • Установка травления материалов в индуктивно-связанной плазме от НИОКР до крупносерийного производства.
  • Подложки размером: 8х2”, 4х3”, одиночные от 3” до 8”
  • Варианты загрузки: загрузка через шлюз (одиночные пластины или партия); кассетная загрузка пластин или образцов
  • Библиотека стандартных технологических процессов травления: GaN, GaAs, AlGaP, InP, InGaAs, HgCdTe; SiC, Al2O3; Si, SiO2, SiNx; Cr, Ti, Al, TiN, TiW, Mo;

далее


VERSALINE DSE

  • Установка глубокого травления кремния от НИОКР до серийного производства  МЭМС, динамических ОЗУ
  • Подложки размером до 8”
  • Варианты загрузки: загрузка через шлюз; кассетная загрузка пластин или образцов
  • Библиотека стандартных технологических процессов травления: Si, SiO2, Si3N4, SiOxNy; полиметилметакрилат, фоторезист, полиимид

далее


VERSALINE PECVD

  • Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы для крупносерийного производства
  • Подложки размером до 8”
  • Варианты загрузки: прямая ручная загрузка; загрузка через шлюз (одиночные пластины или образцы); кассетная загрузка пластин или образцов
  • Библиотека стандартных технологических процессов осаждения: диэлектриков (SiO2, SiNx, SiOxNy); полупроводников (SiC, a-Si)

далее


VERSALINE HDPCVD

  • Установка низкотемпературного плазмохимического осаждения из газовой фазы от НИОКР до серийного производства с применением высокоплотной плазмы
  • Подложки размером от 3” до 8”
  • Варианты загрузки: загрузка через шлюз (одиночные подложки); кассетная загрузка пластин
  • Библиотека стандартных технологических процессов осаждения: диэлектриков (SiO2, SiNx, SiOxNy); полупроводников (SiC, a-Si)

далее


SingulatorMDS-100, MDS-300

  • Установки плазменного разделения пластин на кристаллы для крупносерийного производства, обладающие серьезными преимуществами по сравнению со стандартной технологией скрайбирования для тонких и сверхтонких пластин: гладкие боковые стенки кристаллов, отсутствие боковых повреждений, повышение прочности кристаллов, ширина реза 10 мкм и менее, возможность разделения пластин толщиной менее 50 мкм, разделение непрямоугольных кристаллов (со скругленными углами, клиновидной формы и т.д.)
  • Использование стандартных в скрайбировании несущей ленты с пластиковыми или металлическими каркасами
  • Загрузка двух кассет, до 25 каркасов с пластинами в каждой
  • Непрерывный процесс для 4”, 6”, 8” пластин на 8” каркасе (MDS-100) и 12″ пластин на 12″ каркасе (MDS-300)

далее


Pinnacle

  • Установки ионнолучевого травления и осаждения представляют из себя однокамерные модули с реакторами ионнолучевого травления или осаждения, объединяющие в одном кластере от одного до трех модулей травления, осаждения или комбинации модулей травления и осаждения
  • Высокая производительность за счет ионных источников большой площади и усовершенствованной системы перемещения
  • Квалифицированы для применения в 200-мм производстве. Предназначена для обработки 200-мм пластин, 150-мм пластин и 9,5” ячеек, может модифицироваться для обработки 300-мм пластин

далее


LAPECVD

  • Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы на большие поверхности для крупносерийного производства
  • Подложки: максимальная загрузка при групповой обработке – 3 пластины по 8”
  • Варианты загрузки: кассетная загрузка пластин
  • Возможность групповой обработки большого количества пластин, применение парных кассет (работа из кассеты в кассету)

далее


Versalock

  • Кластерная установка с загрузкой «из кассеты в кассету» выпускалась в следующих конфигурациях: ICP, RIE, DSE™, PECVD и HDPCVD

700 VLR (Versalock ) PECVD

  • Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы
  • Подложки размером 4” (возможность использования для 8”)
  • Содержит модули LM/TM и PECVD

далее


ORBIS™ Alpha™

  • Установка для травления в среде XeF2 и HF оксидов и кремния при изготовлении МЭМС для НИОКР
  • Применяется для изготовления датчиков, ВЧ МЭМС, микроболометров, температурных датчиков, микроакселерометров, ВЧ-переключателей
  • Применение XeF2 эффективно для травления различных материалов, включая SiO2 и Si3N4, HF наиболее эффективен при травлении Si3N4
  • Подложки размером до 200 мм

далее


ORBIS™ 1000

  • Установка для автоматизированного травления в среде XeF2 и HF оксидов и кремния при изготовлении МЭМС для мелкосерийного производства
  • Применяется для изготовления датчиков, ВЧ МЭМС, микроболометров, температурных датчиков, микроакселерометров, ВЧ-переключателей
  • Применение XeFэффективно для травления различных материалов, включая SiO2 и Si3N4, HF наиболее эффективен при травлении Si3N4
  • Пластины размером 100, 125, 150, 200 мм, а также различные типы других подложек и образцов

далее


ORBIS™ 3000

  • Полностью автоматизированная кластерная установка для изготовления МЭМС в крупносерийном производстве
  • Содержит до трех процессных модулей, поддерживающих технологии травления XERIX и нанесения покрытий AURIX
  • Применяется для изготовления датчиков, ВЧ МЭМС, микроболометров, температурных датчиков, микроакселерометров, ВЧ-переключателей
  • Применение XeFэффективно для травления различных материалов, включая SiO2 и Si3N4, HF наиболее эффективен при травлении Si3N4

далее


Mask Etcher Series

  • Установка для производства фотошаблонов высокого разрешения с применением технологии индуктивно-связанной плазмы.
  • В зависимости от модификации установки позволяет получать элементы с топологическим размером менее: 1 – 250нм, 2 – 180нм, 3 – (130÷90)нм, 4 – (65÷45)нм, 5 – (32÷ 22)нм
  • Варианты загрузки: автоматизированная загрузочная станция; загрузка пластин из SMIF-контейнера через буферную зону
  • Имеется возможность применять Cr, MoSi, кварц, ультрафиолетовое облучение, импринтные технологии

далее


Odyssey HDRF

  • Установка обработки пластин в индуктивно-связанной плазме с технологией HDRF от НИОКР до крупносерийного производства
  • Технология HDRF (High Density Radical Flux) полностью исключает ионную составляющую процесса травления, что позволяет избежать внесение электрического заряда в полупроводниковую структуру.
  • Модификации: от лабораторной однокамерной установки с ручной загрузкой до промышленных установок с двумя загрузочными шлюзами и двумя процессными камерами. Однокамерная установка может быть модернизирована в двухкамерную. Двухкамерная установка может быть сконфигурирована для односторонней или двусторонней обработки пластин
  • Подложки размером до 8”

далее


Navigator™ 6

  • Установка с технологией HDRF плазменного удаления фоторезиста, очистки поверхности пластин от органических загрязнений и удаления промежуточного полимерного слоя при изготовлении МЭМС и для применения в микроэлектронном производстве
  • Технология HDRF (High Density Radical Flux) полностью исключает ионную составляющую процесса травления, что позволяет избежать внесение электрического заряда в полупроводниковую структуру.
  • Предназначена для групповой обработки пластин, но может быть использована и для обработки одиночных пластин
  • Ручная загрузка пластин

далее


Navigator™ 8

  • Установка с технологией HDRF плазменного удаления фоторезиста, очистки поверхности пластин от органических загрязнений и удаления промежуточного полимерного слоя при изготовлении МЭМС и для применения в микроэлектронном производстве
  • Технология HDRF (High Density Radical Flux) полностью исключает ионную составляющую процесса травления, что позволяет избежать внесение электрического заряда в полупроводниковую структуру.
  • Предназначена для групповой обработки пластин, но может быть использована и для обработки одиночных пластин
  • Ручная загрузка пластин

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.