Oxford Instruments

Oxford Instruments PlasmaPro 80 RIE

  • Компактная малогабаритная установка реактивно-ионного травления с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение – реактивно-ионного травление соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и т.д.), диэлектириков (SiO2, SiNx и т.д.), кремния (Si, a-Si, поли-Si), металлических слоев (Au, Pt, Ti, Ta, W и т.д.)
  • Подложки: до ø 200 мм
  • Управление температурой  подложки вплоть до 400°C (жидкостное охлаждение и/или электрический нагрев)

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 80 Cobra65 ICP

  • Компактная малогабаритная установка травления индуктивно-связанной плазмой с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение – травления индуктивно-связанной плазмой соединений А3В5 (GaAs, GaN), диэлектириков (SiO2), кремния (Si)
  • Подложки: до ø 200 мм
  • Управление температурой  подложки вплоть до 400°C (жидкостное охлаждение и/или электрический нагрев)

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 80 ICPCVD

  • Компактная малогабаритная установка для химического осаждения из газовой фазы индуктивно-связанной плазмой с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение – осаждение высококачественных однородных слоев диэлектириков (SiO2, Si3N4, SiOxNy), а также кремния (Si) и карбида кремния (SiС)
  • Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
  • Подложки: до ø 200 мм

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 80 PECVD

  • Компактная малогабаритная установка для плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение – плазмоактивированное химическое осаждение из газовой фазы диэлектириков (SiO2, SiNx, SiOxNy), кремния (Si, a-Si, поли-Si), карбида кремния (SiС), алмазоподобное углеродное покрытие (DLC)
  • Подложки: до ø 200 мм
  • Управление температурой  подложки от 20 до 400°C

далее


Oxford Instruments cерияPlasmaPro NGP 80

  • Малогабаритные установки
  • Варианты исполнения: ПХО (PECVD), РИТ (RIE), ПХТ (PE), РИТ/ ПХТ (RIE/PE), ПХТ с ИСП (ICP Etch)
  • Подложки: 2” – до 9 шт; 3” – до 4 шт; 4” – до 2 шт; 6” – 1 шт; 8” – 1 шт с непосредственной загрузкой в рабочую камеру (ICP Etch – до 2”)
  • Для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 100 RIE

  • Установка реактивно-ионного травления для НИОКР, мелкосерийного и серийного производства
  • Назначение – сухое анизотропное травление для широкого спектра процессов
  • Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
  • Реакционная камера содержит параллельные пластины с подаваемым на них ВЧ (13,56 МГц) напряжением

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 100 Cobra (LP ICP)

  • Установка травления индуктивно-связанной плазмой высокой плотности при пониженном давлении для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение – травления индуктивно-связанной плазмой соединений А3В5 (InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN и т.д.), металлов (Nb, W), крио-травление Si, Bosch-процессы глубокого травления Si и SOI для MEMS-структур, микропневматики и фотоники
  • Процессные модули могут работать самостоятельно ( с использованием загрузочного шлюза), либо в составе кластера (с использованием шестиугольного или квадратного модуля перемещения)
  • Подложки: до ø200 мм

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 100 ICPCVD

  • Установка для химического осаждения из газовой фазы индуктивно-связанной плазмой высокоплотных диэлектрических слоев при низких давлении и температуре
  • Назначение – осаждение высококачественных однородных слоев диэлектириков (SiO2, Si3N4, SiOxNy), а также кремния (Si) и карбида кремния (SiС) при температуре от 20°C
  • Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
  • Подложки: групповая загрузка – пластины ø (50÷100) мм, одиночные пластины до ø 200 мм

далее


Oxford Instruments cерия PlasmaPro 100

  • Автоматизированные установки
  • Варианты исполнения: ПХО (PECVD), ICP-CVD, PECVD-CVD, LPCVD, ПХТ (PE), РИТ/ ПХТ (RIE/PE), ПХТ с ИСП (ICP Etch)
  • Подложки: 100÷200 мм
  • Для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 100 PECVD

  • Установка для плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы диэлектрических и полупроводниковых слоев
  • Назначение: осаждение слоев диэлектириков (SiO2, Si3N4, SiOxNy), аморфного кремния (а-Si) и карбида кремния (SiС) при температуре электрода  400°C; осаждение кремниевых нанопроводов и высокотемпературных пленок при температуре электрода  700°C
  • Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
  • Подложки: от ø 50 мм до ø 200 мм

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 100 Estrelas (DSE)

  • Установка глубокого травления кремния для НИОКР и производства
  • Назначение – для Бош-процесса травления и криогенного глубокого травления Si  при производстве MEMS-структур, современного пакетирования и  нанотехнологий
  • Процессные модули могут работать самостоятельно ( с использованием загрузочного шлюза), либо в составе кластера (с использованием шестиугольного или квадратного модуля перемещения)
  • Подложки: пластины от ø50 мм до ø200 мм

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 100 Polaris (HD ICP)

  • Установка травления одиночных пластин индуктивно-связанной плазмой высокой плотности
  • Назначение – травления индуктивно-связанной плазмой соединений GaN, SiС, сапфира, GaN на сапфире
  • Позволяет применять в процессах агрессивные химические вещества (например, BCl3)
  • Установка  может работать самостоятельно, либо в составе кластера с использованием других установок PlasmaPro

далее


Oxford Instruments Nanofab700 (800Agile)

  • Установка для выращивания наноматериалов в местах каталитической активации поверхности подложки
  • Может использоваться для роста следующих наноструктурированных материалов: C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, SiC, GaN, GaAs, GaP, InP, ZnS, InN
  • Применяется для получения 2D материалов: MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoO2, WO3, CuO, TiO2, MnO2, V2O5, WTe2, MoTe2, ZrS2, ZrSe2, LaNb2O2, Bi4Ti3O12, NbSe2, TaS2, GaSe, GaTe, Ni(OH)2
  • Поддерживает стандартные процессы ПА ХОГФ для SiO2, SiNx, a-Si, SiON, поли-Si, SiC

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 800 plus (PECVD/RIE/PE)

  • Автоматизированная установка
  • Варианты исполнения: ПХО (PECVD), ПХТ (PE), РИТ/ ПХТ (RIE/PE)
  • Подложки: до 300 мм
  • Для проведения исследовательских работ и мелкосерийного производства

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 1000 Astrea (PE)

  • Высокопроизводительная установка для плазмохимического травления при серийном производстве светодиодов
  • Назначение – плазмохимическое травления соединений GaN, AlGaInP, сапфира (Al2O3)
  • Позволяет применять в процессах агрессивные химические вещества
  • Варианты исполнения: одиночная установка; кластере, объединяющий до 3-х установок

далее


Oxford Instruments PlasmaPro 1000 Stratum (PECVD)

  • Установка для плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы с открытой системой загрузки для группового производства светодиодов
  • Назначение – пассивация за счет плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы диэлектириков (SiO2, SiNx), а также осаждение нитридов и оксидов металлов
  • Варианты исполнения: одиночная установка; установка для работы в кластере
  • Подложки: пластины ø50мм – 61 шт; ø100мм – 15 шт; ø150мм – 7 шт; ø200мм – 3 шт; ø300мм – 1 шт; ø450мм – 1шт

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.