Veeco Pioneer P125 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Для НИОКР широкого спектра полупроводниковых материалов, металлов, оксидов; идеально для роста III-V/N материалов
  • Поддерживает рост как As/P, так и GaN
  • Для академических и коммерческих исследований
  • Вертикальная конфигурация ростовой камеры минимизирует накопление частиц, обеспечивая работу с минимальным обслуживанием
  • Вакуумный загрузочный шлюз предотвращает загрязнение кислородом и парами воды
  • Различные варианты кассет для пластин, включая 1 x 2″, 3 x 2″, 1 x 3″, 1 x 4″ пластины и различные образцы
  • Полностью совместима с источниками V группы трет-бутил-арсин/трет-бутил-фосфин
  • Собственная технология Flow Flange® обеспечивает точную поставку реагента и строгий контроль над однородностью, толщиной слоя и резкостью границы раздела
  • Размеры установки: длина = 169″ (430 см), ширина = 51″ (130 см), высота = 96″ (244 см)
  • Встроенная система контроля для оперативного точного измерения температуры и скорости роста уменьшает операционные затраты и оптимизирует выход приборов

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.