Veeco GEN 930 MBE

  • Идеальная система молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР при создании материалов А3В5 или А2В6
  • Установка включает в себя встроенную технологию установки GEN II МЛЭ, которая поддерживает многочисленные GaAs и AlGaAs режимы работ
  • Рентабельная модульная конструкция удовлетворяет современным НИОКР возможностям, обеспечивает быструю перестраиваемость установки
  • Объем загрузки пластин: до 1×3″
  • Тип загрузки образцов: ручной
  • Содержит 11 отсеков и обладает максимальной гибкостью в выборе компоновки источников материалов
  • Содержит встроенные приборы для текущего контроля следующими методами: отражательная дифракция быстрых электронов (RHEED), пирометрия, эллипсометрия, анализ остаточных газов (RGA), контроль оптического потока и отражательная спектроскопия

к списку