Veeco GEN III MBE

  • Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР, позволяющая производить синтез любых полупроводниковых соединений на пластинах средней площади в системе материалов InGaAlAsPN
  • Установка МЛЭ с 12 окнами эффузионных ячеек для НИОКР и мелкосерийного производства перспективных оптоэлектронных приборов, таких как лазеры торцевого излучения и полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSELs)
  • Объем загрузки пластин: до 1×4″ или до 3×2″
  • Тип загрузки образцов: ручной
  • Уникальная низкотемпературная панель, отличные эффузионные ячейки и двухзонный нагрев подложки
  • Модульная конструкция обеспечивает несложность и гибкость в применении

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.