Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев InGaAsP, InGaAlP и AlGaAs
Осаждение слоев для производства полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSELs), лазерных диодов, AlGaAs и InGaAs детекторов
Применяется технология TurboDisc® MOCVD — технология вертикального реактора с вращающимся диском
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN для серийного производства голубых, зеленых и УФ светодиодов, лазеров голубого спектра и полевых транзисторов
Устойчивый, повторимый процесс роста приводит к превосходной однородности материала и минимальному обслуживанию установки
Возможности высокоскоростного газового переключения и быстрого вывода на температурный режим позволяют получить наилучшую поверхность активного слоя для самых ярких светодиодов
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев сложных соединений InGaAsP, InGaAlP, AlGaAs
МО ХОГФ установка для крупносерийного производства длинноволновых, ИК- и видимого света лазеров, полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением и электронных материалов, основанных на фосфиде индия (InP).
Новое поколение ростового реактора и устройство Flow Flange
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев As/P
МО ХОГФ установка для массового производства HB-светодиодов и А3В5 концентрирующих солнечных элементов, испускающих повышенное на 15% излучение.
Установка дает возможность массового производства многопереходных А3В5 концентрирующих солнечных элементов, красных, оранжевых и желтых HB-светодиодов, лазерных диодов, псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMTs) и биполярных транзисторов с гетероперходом (HBTs).
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев As/P
МО ХОГФ установка для массового производства HB-светодиодов и А3В5 концентрирующих солнечных элементов, испускающих повышенное на 15% излучение.
Установка дает возможность массового производства многопереходных А3В5 концентрирующих солнечных элементов, красных, оранжевых и желтых HB-светодиодов, лазерных диодов, псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMTs) и биполярных транзисторов с гетероперходом (HBTs).
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
Полностью автоматизированная установка для производства основанных на нитриде галлия (GaN) материалов для голубых и зеленых светодиодов и голубых лазеров
Уникальная технология TurboDisc® гарантирует превосходный выход продукции
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
Промышленная высокопроизводительная МО ХОГФ установка для массового производства основанных на нитриде галлия (GaN) голубых и зеленых светодиодов и голубых лазеров.
Различные варианты кассет для пластин, включая 45 x 2”
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев As/P
МО ХОГФ установка для производства многослойных фотоэлектрических преобразователей
Установка обеспечивает прямое управление температурой пластины, малоинерционные газовые переключения для точного управления крутизной границы раздела, и автоматизацию вакуумного загрузочного шлюза для наивысшей производительности.
Система К475 улучшает качество продукции, производительность и доходность.
Многореакторная установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
Предназначена для массового производства
Различные варианты кассет для пластин, включая 31×4”, 12х6” и 6х8”
Мос-гидридная эпитаксиальная установка, являющаяся высшей системой светодиодной индустрии по производительности, что снижает стоимость одной пластины до 20 процентов по сравнению с предыдущими поколениями.
Установка мос-гидридной эпитаксии для осаждения слоев GaN
Установка разработана специально для силовой электроники.
Различные варианты кассет, включая пластины 6” и 8”
Технологии TurboDisc®, IsoFlange™, SymmHeat™, которые обеспечивают однородный ламинарный поток и равномерное распределение температуры по всей пластине.
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР, позволяющая производить синтез любых полупроводниковых соединений на пластинах средней площади в системе материалов InGaAlAsPN
Установка МЛЭ с 12 окнами эффузионных ячеек для НИОКР и мелкосерийного производства перспективных оптоэлектронных приборов, таких как лазеры торцевого излучения и полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSELs)
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР и опытного производства
Совместная компановка ростового модуля установки GEN10 и производственной системы GEN200 в системе GEN20 позволяет легко перейти от НИОКР к выпуску опытных партий
Многоцелевая установка для соединений А3В5 и новых материалов с вертикальным расположением источника-подложки
12 камер с источниками, опционно добавляется устройство с электронным лучом
Кластерный промышленный комплекс молекулярно-лучевой эпитаксии с загрузкой 4×4″ пластины для эпитаксиального наращивания на GaAs- или InP- подложках для лазеров с накачкой, полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSELs) и биполярных транзисторов с гетероперходом (HBTs)
