Versalock

  • Кластерная установка с загрузкой «из кассеты в кассету» выпускалась в следующих конфигурациях: ICP, RIE, DSE™, PECVD и HDPCVD

700 VLR (Versalock ) PECVD

  • Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы
  • Подложки размером 4” (возможность использования для 8”)
  • Содержит модули LM/TM и PECVD
  • 5 цифровых регуляторов массового расхода (для примера: N2,He, CF4, SiH4, резерв ; или NH3, SiH4, CF4, N2O, He)
  • Источник RF-плазмы
  • Вакуумный насос  Leybold DryVac 50P
  • Электропитание: 208В, 60Гц, 3ф

700 VLR (Versalock) RIE

  • Установка реактивно-ионного травления плазмой
  • Подложки размером до 8”
  • Содержит модули LM/TM и RIE
  • 5 цифровых регуляторов массового расхода (для примера: O2, Cl2, Ar,CF4,CHF3)
  • Источник RF-плазмы
  • Вакуумныеt насосы  Leybold DryVac 50P и Leybold 361C turbo с контроллером NT20
  • Электропитание: 208В, 60Гц, 3ф

700 Versalock ICP

  • Двухреакторная установка травления высокоплотной индуктивно-связанной плазмой
  • В одном реакторе производится травление хлорсодержащими компонентами, в другом реакторе — фторсодержащими компонентами
  • Подложки размером до 6”
  • Применяется при травлении: керамики (Lanthanum Calcium Manganese Oxide, Lanthanum Strontium Manganite, Lanthanum Strontium Manganese Oxide, Lithium Niobate); диэлектриков (Al2O3, HfO2, IrO2, La2O3, кварц, сапфир, SiO2, Si3N4, Ta2O5, TiO2); ферромагнетиков (GdN); металлов (Al, Sb, Cr, Gd, Au, Fe, Mo, Pd, Pt, Ta, Ti, TiAl, TiN, TiW, W); полупроводников (AlSb, AlGaAs, AlInAs, GaAs, GaN, Ge, InAs, InGaAs, InP, Si, SiC, SiGe); полимеров (резистов, углеродных нанотрубок, полидиоктилбитиофена); графена, фторированного графена, Mg3As2, оксид индия и олова, оксид цинка и олова

к списку