VERSALINE HDPCVD

  • Установка низкотемпературного плазмохимического осаждения из газовой фазы от НИОКР до серийного производства с применением высокоплотной плазмы
  • Подложки размером от 3” до 8”
  • Варианты загрузки: загрузка через шлюз (одиночные подложки); кассетная загрузка пластин
  • Библиотека стандартных технологических процессов осаждения: диэлектриков (SiO2, SiNx, SiOxNy); полупроводников (SiC, a-Si)
  • Возможность легирования, автоматизированная программа очистки
  • Подложкодержатель (электрод) со стабилизацией  температуры, цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов (4 – стандартно)
  • Температура подложкодержателя (электрода) 10÷180°C, температура стенок реактора и распылителя до 180°C
  • Источники: RIE – 600Вт 13,56 МГц, ICP – 2000 Вт, 2 МГц (прогреваемый ICP-источник); комплексное управление оконечными устройствами с различными опционными измерительными устройствами, протокол внештатных ситуаций, различные уровни доступа пользователей, управление процессом в реальном времени с визуальным отображением данных на сенсорном мониторе
  • Форвакуумный безмасляный насос 80 м3/ч, турбомолекулярный насос 1200 л/с, обеспечение вакуумом уровня 1,0х10-6 торр
  • Электропитание: 380В, 50Гц, 3ф
  • Габариты: 207,8х188,7х64,0см – вариант с автоматическим шлюзом
Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.