TNSC SR4000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин:  3 x 2″ или 1 x 4″
  • Увеличенные интервалы между техническим обслуживанием за счет оптимизации подачи газовых потоков газа внутри каналов
  • Стабилизация параметров нагрева
  • Опция высокой температуры (HT)
  • Тип реактора:  4″ горизонтальный поворотный токоприемник
  • Пластины: лицевой стороной вверх
  • Материал реактора: Нержавеющая сталь

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.