TNSC MOCVD SR23К

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaN
  • Кассеты для пластин: 10 x 2″ или 8 х 3”;
  • Увеличенные интервалы между техническим обслуживанием за счет оптимизации подачи газовых потоков газа внутри каналов
  • Стабилизация параметров нагрева
  • Опция высокой температуры (HT)
  • Тип реактора: горизонтальный поворотный токоприемник
  • Пластины: лицевой стороной вверх

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.