TNSC HR3000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин:  1 х 2” или 1 х 3”
  • Стабилизация параметров нагрева
  • Опция высокой температуры (HT)
  • Материал реактора: кварц
  • Тип реактора: 3″ горизонтальный поворотный токоприемник
  • Пластины: лицевой стороной вверх

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.