TNSC HR10000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин: 19 х 2” или 9 х 3” или 3 х 6”
  • Стабилизация параметров нагрева
  • Опция высокой температуры (HT)
  • Материал реактора: нержавеющая сталь
  • Тип реактора: 3″ вертикальный поворотный токоприемник
  • Пластины: лицевой стороной вниз

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.