SAMCO RIE-600iP (ICP)

  • Специализированная установка травления оксида и карбида кремния индуктивно-связанной высокоплотной плазмой с  загрузочным блоком для НИОКР и производства
  • Назначение: изготовление SiO2 шаблонов (высокоскоростное травление SiO2) и высокоскоростное травление SiC для производства мощных приборов на SiC; производство оптических устройств (оптических волноводов и микролинз); производство микроканалов;  производство различных датчиков 
  • Перемещение пластин: линейным вакуумным автоматическим манипулятором
  • Пластины:  до 150 мм
  • Электроды: ИСП –электрод (верхний) — Planar ICP Coil, нижний – регулируемый по высоте электрод. Высоковольтный электростатический держатель пластины с гелиевым охлаждением обратной стороны
  • Источник ИСП: 3000Вт, 13,56МГц, с автоматическим согласованием сопротивления. Источника смещения – 600/1000/300Вт, 13,56МГц, с автоматическим согласованием сопротивления
  • Газовая система: газовые линии с РРГ
  • Применяемые газы: SF6, O2, Ar, Не, N2 и прочие
  • Вакуумная система: высокопроизводительная; турбомолекулярный насос и роторный форвакуумный насосы
  • Система управления: компьютеризированная сенсорная панель обеспечивает контроль за параметрами процесса
  • Габариты: (993x1511x1750) мм
  • Окончание процесса: визуально/по интерферометру
  • Опционно: до 8 газовых линий

к списку