PlasmaPro 80 RIE

  • Компактная малогабаритная установка реактивно-ионного травления с открытой системой загрузки для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение – реактивно-ионного травление соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN и т.д.), диэлектириков (SiO2, SiNx и т.д.), кремния (Si, a-Si, поли-Si), металлических слоев (Au, Pt, Ti, Ta, W и т.д.)
  • Подложки: до ø 200 мм
  • Управление температурой  подложки вплоть до 400°C (жидкостное охлаждение и/или электрический нагрев)
  • Опционно для криопроцессов травления Si при температуре до – 150°C обратной стороны подложки поставляется система гелиевого охлаждения
  • Электроды  ø 200 мм
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Источник плазмы: RF-генератор 13,5 МГц, 300Вт
  • Возможность подключения до 12 газовых линий (для примера: CHF3, CF4, Ar, O2, SF6)
  • Котроль травления с помощью лазерной интрферометрии или рефлектометрии, оптической эмиссионной спектрометрии
  • Габариты: 1256 x 762 x 1527 мм

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.