PlasmaPro 100 ICPCVD

  • Установка для химического осаждения из газовой фазы индуктивно-связанной плазмой высокоплотных диэлектрических слоев при низких давлении и температуре
  • Назначение – осаждение высококачественных однородных слоев диэлектириков (SiO2, Si3N4, SiOxNy), а также кремния (Si) и карбида кремния (SiС) при температуре от 20°C
  • Варианты исполнения: обособленные модули со шлюзовой камерой или в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой
  • Подложки: групповая загрузка – пластины ø (50÷100) мм, одиночные пластины до ø 200 мм
  • Управление температурой  подложки от 20 до 400°C
  • Твердотельный RF-генератор 13,5 МГц
  • Нижний электрод (подложкодержатель)  с системой гелиевого охлаждения и механическим зажимом (опция)
  • Варианты размера источников индуктивно-связанной плазмы: ø65мм, ø180мм, ø300мм
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек, возможность кассетной загрузки
  • Нагрев стенок реактора позволяет уменьшить осаждение материала на стенки (опция)
  • Возможность подключения до 12 (4, 8, 12) газовых линий
  • Встроенная плазменная очистка камеры
  • Высокоэффективная вакуумная система с турбонасосом, типовое давление процессов: (1÷10) мТорр
  • Чиллеры, криосистема охлаждения нижнего электрода
  • Электроэнергия: 380В, 3ф, 32А, 50/60Гц

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.