PlasmaPro 100 Estrelas

  • Установка глубокого травления кремния для НИОКР и производства
  • Назначение – для Бош-процесса травления и криогенного глубокого травления Si  при производстве MEMS-структур, современного пакетирования и  нанотехнологий
  • Процессные модули могут работать самостоятельно ( с использованием загрузочного шлюза), либо в составе кластера (с использованием шестиугольного или квадратного модуля перемещения)
  • Подложки: пластины от ø50 мм до ø200 мм
  • Механический или электростатический прижим
  • Обеспечивается регулировка температуры обратной стороны подложки от -140ºC до 400°C
  • Загрузка-выгрузка подложек через загрузочный шлюз, возможно использование кассет (опция)
  • ICP-источник плазмы модели ICP-240, RF-генератор
  • Линий подачи газа с быстродействующими РРГ: до 8 (12); обогреваемые трубопроводы для слаболетучих газов (например: C4F8)
  • Подача азота, гелия; сухого очищенного сжатого воздуха
  • Опционно контроль травления с помощью лазерной интрферометрии, оптической эмиссионной спектрометрии
  • Встроенная система очистки реактора, увеличенное время работы между очистками
  • Вакуумная система (форвакуумный и турбомолекулярный насосы), системы нагрева (до 3,5 кВт)/ охлаждения, РС контроллер
  • Электроэнергия: 400В, 3ф, N + E, 40А, 50/60Гц либо 208В, 3ф, N + E, 75А, 50/60Гц
  • Габариты: установка (модуль) — 2187 x 740 x 1842 мм, установка (кластер) — 4533 x 3390 x 1842 мм, внешний шкаф питания — 687 x 308 x 844 мм
  • Вес: установка (модуль) – 800 кг, внешний шкаф питания — 40 кг

к списку