Nanofab 700 (800 Agile)

  • Установка для выращивания наноматериалов в местах каталитической активации поверхности подложки
  • Может использоваться для роста следующих наноструктурированных материалов: C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, SiC, GaN, GaAs, GaP, InP, ZnS, InN
  • Применяется для получения 2D материалов: MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoO2, WO3, CuO, TiO2, MnO2, V2O5, WTe2, MoTe2, ZrS2, ZrSe2, LaNb2O2, Bi4Ti3O12, NbSe2, TaS2, GaSe, GaTe, Ni(OH)2
  • Поддерживает стандартные процессы ПА ХОГФ для SiO2, SiNx, a-Si, SiON, поли-Si, SiC
  • Конструкция реактора с холодными стенками и распылителем подаваемых материалов
  • Подложки: 2” – до 9 шт; 3” – до 4 шт; 4” – до 2 шт; 6” – 1 шт; 8” – 1 шт
  • Подложкодержатель обеспечивает температуры обратной стороны подложки до 1200°C (опционно: 700°C, 800°C или 1200°C)
  • Загрузка-выгрузка подложек через вакуумный загрузочный шлюз
  • Совместимость с процессами в O2: Nanofab 700 – до 650°С, Nanofab 800Agile – до 400°С
  • Источники плазмы: RF-генератор 13,5 МГц, LF-генератор (50÷460) кГц
  • Линий подачи газа с РРГ: до 8 (12)
  • Возможно применение жидких прекурсоров, предварительной подготовки катализатора
  • Опционно система подачи от источников жидких/твердых материалов для роста MoS2, MoSe2 и прочих  
  • Разнообразные смотровые отверстия для контроля процессов в реальных условиях (оптическая эмиссионная спектрометрия, эллипсометрия и т.д.)
  • Опционно – система очистки реактора
  • Высокоэффективные вакуумные системы: насос Рутса (ТМН опционно)
  • Габариты: установка – 1630 x 747 x 1412 мм

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.