LAPECVD

  • Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы на большие поверхности для крупносерийного производства
  • Подложки: максимальная загрузка при групповой обработке – 3 пластины по 8”
  • Варианты загрузки: кассетная загрузка пластин
  • Возможность групповой обработки большого количества пластин, применение парных кассет (работа из кассеты в кассету)
  • Библиотека стандартных технологических процессов осаждения диэлектриков: SiO2, SiNx, SiOxNy
  • Автоматизированная программа очистки
  • 20” подложкодержатель (электрод), цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов
  • Температура подложкодержателя (электрода) 80÷350°C, температура стенок реактора и распылителя до 175°C
  • Источник RF – 60/600Вт 13,56 МГц, комплексное управление оконечными устройствами с различными опционными измерительными устройствами, протокол внештатных ситуаций, различные уровни доступа пользователей, управление процессом в реальном времени с визуальным отображением данных
  • Электропитание: 200÷230В, 50/60Гц

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.