Heidelberg DWL 66+

  • Установка формирования изображения высокого разрешения для НИОКР
  • Диодный лазер 405 нм, до 300 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 70 мВт
  • Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
  • Максимальный размер подложки до 225 х 225 мм2
  • Толщина подложек до 12 мм
  • Максимальная область экспонирования 200 х 200 мм2
  • Минимальный размер структурного элемента 0,6 мкм
  • Размер адресной сетки от 5 нм
  • Режимы многократного нанесения рисунка
  • Опция трехмерной экспозиции
  • Опция режима векторного экспонирования
  • Скорость экспонирования от 13 до 2000 мм2/мин
  • Погрешность позиционирования подложки 10 нм
  • Поддержка форматов DXF, CIF, GDSII, Gerber
  • Электричество 220-240 В, 50 Гц, 16А
  • Встроенная прецизионная система поддержания микроклимата ±0,1 ОС, класс чистоты в рабочей зоне установки ИСО 4. Рекомендуемые параметры микроклимата для помещения 21 ± 1 ОС, класс чистоты ИСО 5.
  • Сжатый воздух от 6 до 10 bar
  • Размер установки (ШхГхВ) 1300 х 1100 х 1950 мм, масса 1000 кг
  • Размер блока управления (ШхГхВ) 630 х 760 х 1950 мм, масса 100 кг

к списку