Heidelberg DWL 2000

  • Быстрая и гибкая установа лазерной литографии
  • Диодный лазер 405 нм, от  100 мВт или Газовый криптон-ионный лазер 413 нм, 300 мВт или УФ-диодный лазер 375 нм, 18 мВт
  • Для тонких и стандартных резистов или для УФ-резистов
  • Максимальный размер подложки до 225 х 225 мм2
  • Толщина подложек до 6 мм
  • Максимальная область экспонирования 200 х 200 мм2
  • Минимальный размер структурного элемента 0,5 мкм
  • Размер адресной сетки уменьшен до 10 нм
  • Режимы многократного нанесения рисунка
  • Режим векторного экспонирования
  • Режим современной трехмерной экспозиции
  • Скорость экспонирования от 29 до 340 мм2/мин
  • Поддержка форматов DXF, CIF, GDSII, Gerber, BMP, ASCII, STL
  • Электричество 380-400 В, 50 Гц, 32А
  • Встроенная прецизионная система поддержания микроклимата ±0,1 ОС, класс чистоты в рабочей зоне установки ИСО 4. Рекомендуемые параметры микроклимата для помещения 21 ± 1 ОС, класс чистоты ИСО 5.
  • Размер установки (ШхГхВ) 1740 х 1215 х 2200мм, масса 1000кг
  • Размер блока управления (ШхГхВ) 800 х 650 х 1800мм, масса 180кг

к списку