FHR ALD 150

  • Установка атомно-слоевого осаждения
  • Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiNx и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
  • Подложки Ø150 мм, объемные образцы 20 мм (до 100 слоев)
  • Ненагреваемая камера загрузки-разгрузки из алюминия, загрузка по1 подложке в боксе с ламинарным потоком
  • Совмещенная камера для ручной загрузки и перемещения
  • Нагрев подложки до 600°C
  • Реактор из алюминия, нагреваемый до 100°C, с обдувом аргоном зазоров
  • 3 газовые линии исходных реагентов (нагреваемые до 200/ 230°C), 1 резервный канал
  • 3 барботера (1 — охлаждаемый, 2 — нагреваемые)
  • Газовые линии: 6 — основные, 1 — резервная
  • Узел распыления газов с двумя газовыми каналами
  • Устройство вынесенной плазмы
  • Потенциал подложки: высокочастотный, постоянного тока, заземленный, плавающий

к списку