Corial 210D

  • Низкотемпературная установка осаждения диэлектриков и травления в высокоплотной индуктивно связанной плазме для НИОКР и специализированного производства (ИС для телекоммуникации, современные сборочные операции и прочих)
  • Вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения пластин и малым временем откачки
  • В процессах применяются химические соединения фтора и хлора
  • Загрузка:  пластины от 1 x 2” до 7 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 1 x 4”, 1 x 6”
  • Применяется для низкотемпературного осаждения: aSi-H, SiO2, Si3N4, SiC, SiOCH, SiOF
  • Температура осаждения: от 20°C до 150°C
  • Раздельная подача SiH4, C2H4 и легирующих добавок
  • С программным обеспечением COSMA Pulse могут проводиться процессы атомно-слоевого осаждения
  • Скорость осаждения: SiO2 – 140 нм/мин, Si3N4 – 150 нм/мин, SiOF – 170 нм/мин
  • 220-мм подложкодержатель (электрод), гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя
  • Газовый шкаф с контроллерами массового расхода: максимально до 8 газовых линий (варианты газов  – Ar, CHF3, SF6, C2H4, Cl2)
  • Источники плазмы: RF – 300Вт (100÷2000ВТ), 13,56 МГц; ICP-RIE – 2000Вт, 2 МГц
  • Форвакуумный безмасляный насос 110 м3/ч, турбомолекулярный насос 1600 л/с; время откачки < 3 мин
  • Высокая температура стенки реактора обеспечивает быструю плазменную очистку реактора (< 15 мин) и низкое содержание частиц
  • Электропитание: 400 В, 17,5 КВА, 3 ф, 50/60 Гц; 240 В, 1 КВА, 1 ф, 50/60 Гц
  • Габариты: 1570 х 750 х 1434 мм

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.