CORIAL

Corial 200I

  • Установка реактивно-ионного травления и травления индуктивно связанной плазмой для НИОКР и аналитических лабораторий
  • Для травления применяются химические соединения фтора и кислорода
  • Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4); полимеров (полиметилметакрилата, полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Nb, Mo и других) 
  • Подложки/пластины различных размеров (например: 7 х 2”) вплоть до1 х 8”

далее


Corial 200ML

  • Установка ECR / Микроволнового травления плазмой высокой плотности с ручной загрузкой и вакуумным загрузочным шлюзом
  • Смесь CH4/H2 и хлорсодержащие реакционные газы применяются для травления двойных – четверных полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6: GaN, GaAs, GaP, GaAlAs, InP, InGaAsP, ZnS, CdTe и HgCdTe
  • Загрузка: от 7 пластин  Ø2″ до 1 – Ø200мм
  • 220-мм подложкодержатель (электрод); гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя обеспечивает температуру пластины < 100°C

далее


Corial 200R

  • Установка реактивно-ионного травления для НИОКР и прототипирования с прямой загрузкой (опционно – через загрузочный шлюз)
  • Для травления применяются химические соединения фтора
  • Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4); полимеров; металлов (Ge, W, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Nb, NbN, Mo) 
  • Подложки/пластины различных размеров: от небольших частей пластин до целых пластин Ø200мм

далее


Corial 200FA

  • Установка реактивно-ионного травления для лабораторий анализа отказов с ручной загрузкой:

– изотропное (1500 нм/мин) удаление полиимида глубиной до 5000 нм,

– изотропное (700 нм/мин) и анизотропное (500 нм/мин) удаление Si3N4,

– изотропное и анизотропное (250 нм/мин) удаление SiO2,

  • Размер пластины – до Ø200мм
  • Технология разряда в системе с полым катодом
  • Гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя

далее


Corial 200S

  • Установка реактивно-ионного травления для НИОКР
  • Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4) глубиной до 500 нм и скоростью травления 120 нм/мин для Si и более 70 нм/мин для Si3N4; полимеров (полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Au, Pt, Fe, Cu, PZT, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo). При травлении Ta обеспечивается профиль травления более 85° и скоростью травления более 90 нм/мин
  • Подложки/пластины различных размеров: от небольших частей пластин до целых пластин ø8”
  • 220-мм подложкодержатель (электрод), гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя

далее


Corial 210RL

  • Установка реактивно-ионного травления для НИОКР
  • Загрузка через вакуумный загрузочный шлюз
  • Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
  • Обширная встроенная библиотека стандартных процессов: травление с фторсодержащими газами кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4), металлов (Ge, W, Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, Nb, NbN, Mo), полимеров; травление с хлорсодержащими газами полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 (GaN, AlGaN, GaAs, InP), металлов (Al, Cr, Ti) 

далее


Corial 210IL

  • Установка травления индуктивно-связанной плазмой /  реактивно-ионного травления для НИОКР и мелкосерийного производства оптоэлектроники, МЭМС, силовой электроники, ИС для телекоммуникации, интегральной оптики и прочих
  • Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с электромагнитным приводом:  от 1 x 2” до 7 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 1 x 4”, 1 x 6”, 1 x 8”
  • Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
  • Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4, SiC); полимеров (полиметилметакрилата, полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста);  полупроводниковых соединений А3В5 (GaN, AlGaN, InP) и А2В6 (ZnS, CdTe, HgCdTe); металлов (Al, Cr, Au, Ni, Fe, Pt, Cu, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo); соединений повышенной твердости (Al2O3, SiC, LiTaO3, стекла, кварц, сапфир)

далее


Corial 210D

  • Низкотемпературная установка осаждения диэлектриков и травления в высокоплотной индуктивно связанной плазме для НИОКР и специализированного производства (ИС для телекоммуникации, современные сборочные операции и прочих)
  • Вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения пластин и малым временем откачки
  • В процессах применяются химические соединения фтора и хлора
  • Загрузка:  пластины от 1 x 2” до 7 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 1 x 4”, 1 x 6”

далее


Corial D250

  • Установка высоко- и низкотемпературного плазмостимулированного осаждения для мелкосерийного производства и специализированного применения (оптоэлектроника, МЭМС, силовая электроника, ИС для телекоммуникации, интегральная оптика)
  • Прямая загрузка (опционно – вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения пластин и малым временем откачки)
  • Изотермальный реактор, 260-мм подложкодержатель (электрод)
  • Загрузка:  пластины от 1 x 2” до 11 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 2 x 4”, 1 x 6”, 1 x 8”

далее


Corial D250L

  • Установка высокотемпературного плазмостимулированного осаждения для мелкосерийного производства и специализированного применения (оптоэлектроника, МЭМС, силовая электроника, ИС для телекоммуникации, интегральная оптика)
  • Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с электромагнитным устройством перемещения пластин и малым временем откачки)
  • Изотермальный реактор, 260-мм подложкодержатель (электрод)
  • Загрузка:  пластины от 1 x 2” до 11 x 2”, от 1 x 3” до 3 x 3”, 2 x 4”, 1 x 6”, 1 x 8”

далее


Corial PS200

  • Кластерная четырехмодульная установка серийного производства и специализированного применения
  • Полностью автоматизированная кассетная загрузка с использованием вакуумного робота и подъемного устройства для кассет с механическим зажимом или электростатическим держателем (опционно) пластин
  • Может объединять до трех процессных модулей с технологиями RIE (реактивно ионное травление), ICP-RIE (травление индуктивно связанной плазмой – реактивно ионное травление) или PECVD (плазм стимулированное осаждение из газовой фазы) серий Corial 200 (Corial 210RL, Corial 210IL, Corial D250)
  • Транспортировочный модуль создан на базе вакуумного робота Brooks MagnaTran® 7 (MAG 7) для точного, надёжного и автоматизированного перемещения пластин

далее


Corial 300S

  • Установка реактивно-ионного травления для НИОКР и производства фотошаблонов, МЭМС и прочих
  • Ручная загрузка: шаблоны от 2” x 2” до 8” x 8”; возможна групповая обработка пластин 7 x 4” и 3 x 6”
  • Для травления применяются химические соединения фтора
  • Применяется для травления: хрома и кварца при изготовлении фотошаблонов; кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4, Si); полимеров (полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Au, Pt, Fe, Cu, PZT, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo)

далее


Corial 300IL

  • Установка травления индуктивно-связанной плазмой /  реактивно-ионного травления для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с роботизированным электромагнитным приводом:  до 19 x 2”, до 7 x 4”, до 3 x 6”, до 1 – Ø300мм
  • Для травления применяются химические соединения хлора
  • Применяется для травления: GaN, сапфира

далее


Corial 360RL

  • Установка реактивно-ионного травления для производства фотошаблонов, МЭМС и оптоэлектроники
  • Ручная загрузка через вакуумный загрузочный шлюз: шаблоны от 2” x 2” до 8” x 8”; возможна групповая обработка пластин 7 x 4” и 3 x 6”
  • Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
  • Применяется для травления: хрома и кварца при изготовлении фотошаблонов; кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4, Si); полимеров (полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Au, Pt, Fe, Cu, PZT, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo); полупроводниковых соединений А3В5 (GaAs, GaP, GaN, AlGaN)

далее


Corial 360IL

  • Установка травления индуктивно-связанной плазмой /  реактивно-ионного травления для специального полупроводникового производства: оптоэлектроники, МЭМС, приборов силовой электроники и прочих
  • Загрузка через вакуумный загрузочный шлюз с устройством перемещения:  до 23 x 2”, до 7 x 4”, до 3 x 6”
  • Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
  • Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4, Si); полупроводниковых соединений А3В5 (GaN, AlGaN, GaP), сапфира

далее


Corial D350

  • Установка высокотемпературного плазмостимулированного осаждения для производства изделий специализированного применения (фотоника, оптоэлектроника, МЭМС)
  • Изотермальный реактор с вакуумной камерой и оригинальным распылителем
  • Прямая загрузка – одиночные пластины до 300 мм, либо групповая загрузка, например: 27 x 2”
  • Применяется для плазмостимулированного осаждения: aSi-H, SiO2, Si3N4, SiC, SiOCH, SiOF

далее


Corial D350L

  • Установка высокотемпературного плазмостимулированного осаждения для производства изделий специализированного применения (фотоника, оптоэлектроника, МЭМС)
  • Изотермальный реактор с вакуумной камерой и оригинальным распылителем
  • Загрузка через вакуумный загрузочный шлюз – одиночные пластины до 300 мм, либо групповая загрузка, например: 27 x 2”
  • Применяется для плазмостимулированного осаждения: aSi-H, SiO2, Si3N4, SiC, SiOCH, SiOF

далее


Corial 400L

  • Установка реактивно-ионного травления
  • Ручная загрузка через роботизированный вакуумный загрузочный шлюз: подложки 14″ х 14″
  • Для травления применяются химические соединения фтора и хлора
  • Применяется для травления: металлов, полимеров и Si соединений

далее


Corial D500 PECVD

  • Высокопроизводительная установка плазмостимулированного осаждения для крупносерийного производства изделий специализированного применения (приборы силовой электроники, оптоэлектроника, МЭМС)
  • Изотермальный реактор с вакуумной камерой и оригинальным распылителем
  • Групповая загрузка: 104 x 2”, 25 x 4”, 9 x 6”, 4 x 8”  
  • Применяется для плазмостимулированного осаждения: aSi-H, SiO2, Si3N4, SiC, SiOCH, SiOF

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.