Corial 200S

  • Установка реактивно-ионного травления для НИОКР
  • Применяется для травления: кремния и кремнийсодержащих соединений (SiO2, Si3N4) глубиной до 500 нм и скоростью травления 120 нм/мин для Si и более 70 нм/мин для Si3N4; полимеров (полиимида, бензоциклобутена, фоторезиста); металлов (Au, Pt, Fe, Cu, PZT, Ti, TiN, TiW, W, Ta, TaN, Ge, Nb, NbN, Mo). При травлении Ta обеспечивается профиль травления более 85° и скоростью травления более 90 нм/мин
  • Подложки/пластины различных размеров: от небольших частей пластин до целых пластин ø8”
  • 220-мм подложкодержатель (электрод), гелиевое охлаждение обратной стороны подложкодержателя
  • цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов
  • Источники плазмы: RIE – 300Вт, 13,56 МГц
  • Форвакуумный безмасляный насос 95 м3/ч, турбомолекулярный насос 500 л/с
  • Малая площадь размещения (0,81м2)

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.