Applied Materials AMAT Centura AdvantEdge Mesa / G5 Etch (FE-ICP)

  • Автоматическая многокамерная установка травления индуктивно связанной плазмой с  шлюзовой загрузкой для серийного производства
  • Назначение: травление кремния (Mesa) при формировании критичной узкощелевой изоляции, битовых линий, числовых шин и двойных шаблонов при производстве логических чипов и чипов памяти с топологией ≤32нм; травление металлов (G5)
  • Варианты процессных камер: AdvantEdge G5 (травление кремния), AdvantEdge G5 Mesa (травление поликремния), Carina (процесс High-K), Axiom (процесс пост-травления)
  • Загрузка в FOUP-контейнерах (Mesa)/ загрузка в SMIF-контейнерах (G5)
  • Три кассетные загрузочные станции
  • Роботизированное устройство загрузки, ориентации и перемещения пластин
  • Пластины: ø300мм
  • Подложкодержатель с электростатическим / стандартным прижимом и гелиевым охлаждением
  • Источники плазмы: FE-ICP — нижний электрод — (0÷3000)Вт, 13,56 MГц; верхний электрод — (0÷3000)Вт, 13,56 MГц; системы автоматического согласования
  • Газовая система: до 16 газовых линий с РРГ на процессную камеру
  • Применяемые газы: Cl2, HBr, BCl3, NF3, SiCl4, CH3F, CHF3, C2 H4/He, C4F6, CH2F2, CF4, CH4, SF6, C4F8, Ar, O2, He, N2 и прочие.Расход процессных газов — (3,0÷30) л/ч
  • Система управления: компьютерная; система управления температурой; система определения окончания процесса
  • Чиллеры, нагреватели
  • Высокопроизводительная вакуумная система: турбомолекулярные насосы, безмасляные форвакуумные насосы
  • Очищенный сухой сжатый воздух
  • Электроэнергия: 208В, 3ф, 50/60Гц

к списку