AnnealSys MC100

  • Установка для НИОКР для МО ХОГФ (гетероэпитаксия оксидов на монокристаллические подложки – МО ХОГФ, возможность ХОГФ распылением)
  • Диапазон температур – до 850°C
  • Размер подложки –  Ø4″
  • До 6 процессных и 1 продувочная газовые линии
  • До 4 испарителей жидких исходных реагентов
  • Вакуумирование до 10-3 Торр
  • Реактор с охлаждаемыми стенками

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.