AnnealSys

AnnealSys AS-Micro

  • Лабораторная установка для БТП (БТ отжиг, имплантационный отжиг, отжиг п/п соединений, кристаллизация, спекание)
  • Диапазон температур — до 1250°C
  • Изменение температуры — до 250°C/сек
  • Подложки до Ø3″

далее


AnnealSys AS-One

  • Печь для БТП (БТ отжиг, окисление, диффузия, отжиг п/п соединений, нитридирование, силицидирование, кристаллизация, спекание)
  • Диапазон температур — до 1250°C
  • Изменение температуры — до 200°C/сек (4″)/ до150°C/сек (6″)
  • Размер подложки —  Ø4″ или Ø6″

далее


AnnealSys AS-Master

  • Универсальная установка для БТП/БТ ХОГФ (БТ отжиг, окисление; отжиг SiC контактов, карбонизация, отжиг п/п соединений; ХОГФ: поликремний, SiO2, SiNx)
  • Диапазон температур — до 1400°C
  • Изменение температуры — до 200°C/сек
  • Размер подложки — до Ø200 мм или 200 х 200 мм

далее


AnnealSys SprayCVD-050

  • Лабораторная установка для ХОГФ распылением (ХОГФ распылением, БТ отжиг, имплантационный отжиг, отжиг п/п соединений, кристаллизация, спекание)
  • Диапазон температур — до 1200°C
  • Размер подложки — до 2″ х 2″
  • До 3 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее


AnnealSys LC100

  • Печь ХОГФ НД для НИОКР (ненапряженный обогащенный кремнием нитрид, ХОГФ НД, отжиг, окисление)
  • Диапазон температур — от 500 до 1100°C
  • Размер подложки — Ø4″
  • До 12 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее


AnnealSys MC050

  • Установка для НИОКР для МО ХОГФ и ХОГФ распылением (гетероэпитаксия оксидов на монокристаллические подложки — МО ХОГФ, возможность ХОГФ распылением, а также отжига в камере осаждения)
  • Диапазон температур — до 1200°C
  • Размер подложки —  Ø2″
  • До 6 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее


AnnealSys MC100

  • Установка для НИОКР для МО ХОГФ (гетероэпитаксия оксидов на монокристаллические подложки — МО ХОГФ, возможность ХОГФ распылением)
  • Диапазон температур — до 850°C
  • Размер подложки —  Ø4″
  • До 6 процессных и 1 продувочная газовые линии

далее