AnnealSys MC050

  • Установка для НИОКР для МО ХОГФ и ХОГФ распылением (гетероэпитаксия оксидов на монокристаллические подложки — МО ХОГФ, возможность ХОГФ распылением, а также отжига в камере осаждения)
  • Диапазон температур — до 1200°C
  • Размер подложки —  Ø2″
  • До 6 процессных и 1 продувочная газовые линии
  • До 4 испарителей жидких исходных реагентов
  • Вакуумирование до 10-3 Торр

к списку