AIXTRON VP2400 HW MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Применение: Материалы на основе SiC
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
  • Загрузка: 7×3″, 6×4″
  • Температура роста: 1550-1650°C

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.